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大摩重磅存储研报全拆解:老旧存储周期彻底爆单,两岸存储企业估值全面重估

wang wang 发表于2026-06-28 18:53:45 浏览1 评论0

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大摩重磅存储研报全拆解:老旧存储周期彻底爆单,两岸存储企业估值全面重估

各位硬核半导体、周期股投资者,我是牛哥。月 25 日大摩(摩根士丹利)亚太团队发布了一份覆盖两岸全存储产业链核心标的深度报告,整篇报告核心结论一句话概括:传统成熟制程存储(DDR4/NOR/SLC NAND)供给持续超预期紧缺,下游企业恐慌性补库存,存储涨价行情至少延续至 2026 年四季度,同步全面上调兆易创新、华邦、南亚、旺宏、力积电目标价与未来三年盈利预期,全线给予增持评级

很多散户只盯着 AI 高带宽 DRAM、先进制程闪存,忽略了占市场出货量七成以上的 legacy 成熟存储,这份研报直接戳破当下存储市场最核心的主线:不是高端新品拉动行情,是老旧存储供需严重失衡催生超级涨价周期。今天牛哥掰开揉碎,从行业供需底层逻辑、各细分赛道涨价逻辑、六家核心公司盈利与估值逻辑、行情风险四大维度,完整拆解这份万字重磅研报,干货全部源自原文,硬核数据拉满,适合做中长期仓位参考。

一、开篇核心定调:别再忽视老存储,本轮紧缺是持续性结构性行情

先划原文加粗核心结论,这是整篇报告的根基,所有上调目标价的底层逻辑全部源于此:

1.企业级客户恐慌性备货,DDR4SLC NANDNOR 三大成熟存储全线出现超预期持续供给缺口,渠道库存长期维持两周以内低位,不存在短期供需修复可能;

2.海外大厂持续削减成熟存储产能:美光缩减 NOR 产能,把 12 寸晶圆产能倾斜给高毛利先进 DRAM/NAND,海外供给收缩不可逆;

3.下游硬件架构迭代新增成熟存储刚性需求:企业级硬盘全面切换 SLC NAND、新一代 AI 服务器机架 NOR 用量提升 50% 以上,新增需求持续放大缺口;

4.价格上行周期拉长:DDR4 月环比双位数上涨、SLC NAND 三季度涨幅 50%-60%NOR 三季度涨价 30%-40%,涨价势能全部延续至 2026 年 Q4,部分品种涨价延续至 2027 年上半年。

大摩本次统一观点:市场此前严重低估 legacy 存储供需缺口持续性,此前 月 28 日已经上调华邦、南亚至增持,本次覆盖标的全部二次上调盈利预测与目标估值,六家核心企业全部维持 Overweight(增持)评级,没有一家中性、减持。

很多人疑惑,AI 时代为什么老存储反而更吃香?牛哥结合原文给大家讲透底层供需两端的双向收紧逻辑,分三个细分赛道逐个拆解。

(一)DDR4 赛道:大厂主动出清产能,台厂独享涨价红利

原文关键行业数据:

供给端:全球头部存储厂商逐步退出 DDR4 产能,产能持续向华邦电子、南亚科技两家台湾 IDM 集中,新增扩产意愿极低,12 寸成熟晶圆投放量增量几乎停滞;

需求端:企业级服务器、工控、消费电子整机客户提前锁长单,主动建立大规模安全库存,渠道库存不足两周,历史极低水位;

价格预判:当前 DDR4 保持每月双位数环比上涨,紧缺格局 2026 下半年持续放大,涨价行情贯穿 Q4,甚至延续至 2027 年上半年,南亚测算 Q3 DDR4 环比涨幅至少 30%,远超此前机构 20% 的预期。

盈利端直接体现涨价红利:南亚科技 2026/27/28 年 EPS 分别上调 7%/15%/14%;华邦电子同期 EPS 上调 4%/17%/24%,两家企业营收、毛利率 2026 年迎来爆发式增长。估值层面,大摩采用存储行业通用 PB 估值法(存储周期波动极大,PE 失真,市净率更贴合周期定价):

华邦目标价从 222 新台币上调至288 新台币,对应 2026 年 6.2 倍 BVPS,乐观情景 342 台币,悲观 118 台币;

南亚目标价从 380 新台币上调至550 新台币,对应 2026 年 4.5 倍 BVPS,乐观情景 1160 台币,悲观 305 台币;

这里补充一个关键博弈点,研报专门提及:短期长江存储、长鑫带来的国产竞争压力会被持续涨价完全对冲,DDR4 供给缺口足够大,台湾两大厂商能充分吃到涨价带来的毛利扩张,无需担忧价格内卷。

(二)SLC/MLC NAND 赛道:企业硬盘重构需求,小容量闪存彻底供不应求

这是市场认知偏差最大的赛道,绝大多数资金扎堆大容量 TLC/QLC 消费级 NAND,完全忽视 SLC 稀缺性,原文重磅逻辑:

1.MLC NAND 供给短缺倒逼硬件厂商更换方案:传统企业级 HDD 硬盘固件、坏块映射、热数据缓存全部使用 MLC,现在供给不足,产业链全面切换高密度 SLC NAND,直接打开 SLC 长期增量空间;

2.数据中心 eSSD 高密度 SLC 需求同步爆发,双重需求挤压供给;

3.价格路径:2026 年 Q3 SLC NAND 价格环比大涨 50%-60%,涨价动能无衰减,Q4 继续维持上涨趋势。

受益标的主要是旺宏电子、华邦电子,两家同时布局 NOR 与 SLC 闪存,双线涨价双击,旺宏 2026 年 EPS 直接上调 34%,是六家企业中盈利上调幅度最高的标的,核心增量就来自传统 NAND 紧缺红利。

(三)NOR Flash 赛道:供给高度集中,AI 机架带来增量需求,三季度大涨 30%-40%

NOR 是本轮行情弹性最大细分,也是兆易创新核心主营赛道,原文供需逻辑分供给、需求双向收紧:

供给侧

1.美光大幅削减 NOR 产能,晶圆产能转移至高毛利先进 DRAM、大容量 NAND,海外供给大幅收缩;

2.全球有效产能高度集中台湾旺宏、华邦两家厂商,新增扩产周期长达 12-18 个月,短期无法弥补缺口;

3.厂商主动调配晶圆:晶圆优先倾斜 NAND 等高毛利产品线,NOR 产能投放被动收缩,行业天然控产。

需求侧(两大新增增量,市场完全低估)

1.AI 服务器硬件迭代:新一代 Vera Rubin 机架对比老款 Grace BlackwellNOR 芯片搭载量提升50% 以上AI 基础设施带来稳定中长期增量;

2.车载 MCU、工业控制、物联网 NOR 需求持续高增,国产替代逻辑持续兑现,兆易创新是大陆唯一规模化 NOR 厂商。

价格预期原文明确:旺宏主导 NOR 涨价节奏,2026 年 Q3 NOR 均价上涨 30%-40%,涨价行情延续至 Q4,行业持续维持小幅供不应求格局。

二、六家核心存储标的全面复盘:上调幅度、估值逻辑、增长看点全梳理

整篇报告覆盖 6 家存储核心企业:兆易创新(股 603986)、华邦电子([2344.TW](2344.TW))、南亚科技([2408.TW](2408.TW))、旺宏电子([2337.TW](2337.TW))、力积电([6770.TW](6770.TW))、AP 记忆(shturl.,全部给予增持,牛哥分大陆唯一标的 + 台湾五大厂分开讲,区分不同估值体系,方便 股、港股、台股投资者对照。

(一)兆易创新(603986.SS):大陆存储独苗,上调幅度全市场第一,目标价 585→888 元人民币

这篇研报对 A 股存储投资者价值最高,兆易是唯一大陆覆盖标的,也是盈利上调弹性最强公司之一:

1.盈利调整:2026/27/28 年 EPS 分别上调30%/46%/53%,三年业绩上调幅度全线超过台厂,核心驱动 NOR 涨价、MCU 国产替代、特色 DRAM 业务放量;

2.目标价调整:原目标价 585 元,上调至888 ,现价 775.21 元,上行空间 26%;乐观情景 1542 元(上涨近 100%),悲观情景 648 元;

3.独特估值模型(区别台厂 PB 估值):台厂 IDM 全部采用市净率估值,兆易采用剩余收益模型,核心参数:股权成本 8.9%、分红率 40%、中长期增速 16.4%、永续增速 3%,对应 2026 年动态 PE 53 倍,高于 2016 年以来历史均值 40 倍,但大摩认为涨价周期下估值中枢具备上行动力;

4.四大中长期核心逻辑(原文加粗重点):

MCU 国产替代:国内汽车、工控 MCU 自给率极低,兆易份额持续提升;

NOR 突破车载市场:NOR 产品品质持续追赶台厂,车载市场打开高毛利空间;

特色 DRAM 业务落地:2027 年在长鑫 代产线投产 16G LPDDR432G DDR4,新增第二增长曲线;

Wafer on Wafer 堆叠存储新技术打开 AI 特种存储增量;

5.盈利拆分预期:2026 年闪存收入同比增长 213%MCU 同比增长 28%,综合毛利率维持 57% 高位。

(二)华邦电子([2344.TW](2344.TW)):DDR4+NOR+SLC 三线受益,周期稳定性最优

1.盈利调整:2026/27/28 EPS 上调 4%/17%/24%;目标价 222→288 新台币,现价 219.5 新台币,上行空间 40%,六家企业短期上涨空间第一名;

2.估值方式:采用行业统一 PB 估值,基准 6.2 倍 2026 年 BVPS,乐观 7.3 倍、悲观 2.5 倍;

3.核心优势:三条涨价赛道同时布局,DDR4NORSLC NAND 全部有产能,业绩对冲波动,叠加 SiCap 晶圆代工新业务,长期成长兼具周期弹性;

4.财务亮点:2026 年毛利率大幅抬升至 56.4%2027 年进一步走高至 57.9%,经营利润率突破 49%,现金流持续大幅改善。

(三)南亚科技([2408.TW](2408.TW)):纯 DDR4 龙头,涨价弹性拉满

1.盈利调整:2026/27/28 EPS 上调 7%/15%/14%;目标价 380→550 新台币,现价 443.5 新台币,上行空间 24%;乐观情景 1160 新台币,悲观 305 新台币;

2.核心逻辑:全球少数专注成熟 DDR4 的 IDM 厂商,海外大厂持续退出,行业竞争格局持续优化;机构上调 2026 年 Q3 DDR4 涨价预期至 30% 环比;

3.财务爆发:2026 年净利率直接冲到 60.5%2027 年维持 57.2% 超高净利率,周期上行阶段盈利能力碾压多数半导体企业;

4.风险提示:长期面临长鑫国产 DDR4 产能扩张竞争,但 2026-2027 年供需缺口完全抵消竞争压力。

(四)旺宏电子([2337.TW](2337.TW)):NOR + 传统 NAND 双龙头,业绩上调幅度第一

1.盈利调整:2026/27/28 EPS 大幅上调 34%/20%/21%,是所有标的当年盈利上调幅度最高;目标价 202→220 新台币,现价 172 新台币,上行空间 28%;乐观 355 新台币;

2.核心独家逻辑:MLC、传统 TLC NAND 供给缺口最大受益厂商,机构测算 2026 年 Q1-Q4 传统 NAND 价格最高涨幅超 200%,全市场仅旺宏有充足产能填补缺口;

3.增量看点:任天堂 Switch2 ROM 芯片持续出货,消费存储新增稳定现金流,对冲周期波动。

(五)力积电([6770.TW](6770.TW)):成熟存储代工厂,AI 3D 晶圆业务新增第二曲线

1.盈利调整:2026/27/28 EPS 上调 4%/48%/62%,远期业绩上调幅度行业第一;目标价 88→111 新台币,现价 85.7 新台币,上行空间 30%

2.差异化逻辑:不止成熟存储代工,3D AI 晶圆(SiCapWafer-on-WaferHBM 配套晶圆)业务高速放量,2026/27/28 年该业务营收占比分别达 5%/10%/14%,摆脱纯周期代工束缚;

3.估值逻辑:PB 从历史均值 1.5 倍上调至 2.6 倍 2026 年 BVPS,受益成熟 8/12 寸晶圆持续紧缺。

(六)AP 记忆(shturl.):高弹性特种存储标的

报告同步覆盖,维持增持,目标价 1555 新台币,现价 1115,上行空间 39%,主打高端利基 DRAM,受益工控、服务器特种存储涨价,估值弹性仅次于华邦。

三、行情核心驱动拆解:三重长期逻辑支撑存储超级周期,不是短期反弹

很多投资者会把本次存储上涨当成短期博弈反弹,牛哥结合原文三层逻辑,明确本轮是持续性结构性上行周期,而非脉冲行情:

1. 供给端刚性收缩(核心底层逻辑)

海外美光、三星、海力士战略重心全面转向先进制程 DDR5HBM、大容量 TLC NAND,主动削减成熟 DDR4NORSLC 产能,资本开支不再投向老旧存储产线;成熟存储建厂周期至少 18 个月,2026 年内不存在新增大规模产能释放,供需缺口短期无法修复,涨价周期至少延续至 Q4

2. 需求端新增刚性增量,新旧需求共振

传统存量:工控、电视、机顶盒、消费电子持续消耗成熟存储,企业客户主动锁长单备货;

AI 新增增量:AI 服务器机架 NOR 用量提升 50%,数据中心高密度 SLC eSSD 需求爆发,企业级硬盘全面切换 SLC,创造全新增量;

车载增量:汽车 MCU、功率存储持续拉动 NOR 需求,国产替代持续打开大陆厂商空间。

3. 产业链库存低位,具备持续涨价基础

报告明确全渠道成熟存储库存仅两周,处于历史极值低位,一旦下游需求小幅回暖,就会出现抢货涨价,企业恐慌性囤货进一步放大供需错配,形成涨价补库存更紧缺继续涨价” 正向循环。

四、必须正视的双向风险:上行催化与下行利空(原文完整披露)

做周期股不能只看多,这份研报完整披露每一家公司、整个存储赛道的多空风险,牛哥整理统一框架,方便大家仓位风控参考:

(一)上行超预期催化(潜在超额收益来源)

1.海外厂商进一步加速出清成熟存储产能,供需缺口进一步扩大,存储单季涨价幅度超出 30%-60% 的预期;

2.AI 服务器、车载存储需求爆发速度超预期,NOR/SLC 需求增速上调;

3.国产存储厂商技术突破速度快,兆易等大陆企业抢占台厂海外份额;

4.行业长期供货协议(LTA)大规模落地,厂商锁定全年高毛利订单,业绩确定性大幅提升。

(二)下行核心风险(仓位风控重点)

1.需求端走弱:全球消费电子、工控终端需求不及预期,下游砍单,存储价格快速拐头下跌;

2.供给修复:厂商临时加大成熟存储晶圆投片,或海外大厂暂缓产能出清,供给缺口收窄;

3.国产产能冲击:长鑫、长江存储快速扩产成熟 DDR/NAND,行业价格内卷,毛利率大幅下滑;

4.技术迭代风险:行业加速向 DDR5、大容量 NAND 切换,老旧存储需求快速萎缩;

5.宏观风险:全球资本开支收缩,AI 服务器、数据中心建设不及预期,特种存储需求下滑。

五、牛哥总结:当下存储板块投资操作思路(结合研报观点)

1.赛道优先级排序(大摩给出持仓排序):短期弹性:华邦电子>力积电>旺宏>南亚>兆易创新>AP 记忆;中长期成长(兼顾周期 + 国产替代):兆易创新最优,大陆唯一 NOR + 特色 DRAM 双赛道标的,不受台股汇率、海外资金流动性约束,股唯一核心存储配置标的;

2.仓位配置思路:博弈短期涨价行情,优先华邦、南亚;布局中长期国产替代 + AI 增量,核心配置兆易创新;规避纯消费级大容量 NAND 标的,资金主线在 legacy 成熟存储;

3.周期核心观察指标(后续跟踪重点):每月 DDR4NORSLC 现货报价、渠道库存天数、各大厂商晶圆投片量、AI 服务器出货数据,只要库存持续低于三周、现货维持环比上涨,本轮周期行情就不会结束。

整篇大摩研报打破了市场只有 AI 高端存储才有行情” 的固有认知,资本正在重新定价被忽视的成熟存储稀缺价值。2026 年下半年存储核心主线清晰:老旧成熟存储供需紧缺带来持续性涨价,两岸存储企业盈利、估值同步迎来双重修复。对于硬核周期、半导体投资者,这份报告的供需数据、盈利预测、估值测算具备极强的参考价值,后续每个季度存储现货价格、企业财报都会验证本次机构上调逻辑,大家可以持续跟踪验证。