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研报:全球存储芯片价格大幅飙升,较去年3月涨幅最高接近1000%;头部巨头市值飙升但整体估值仍被低估

wang wang 发表于2026-05-31 14:01:06 浏览3 评论0

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研报:全球存储芯片价格大幅飙升,较去年3月涨幅最高接近1000%;头部巨头市值飙升但整体估值仍被低估

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大盘技术分析及操作策略在:

研报:全球存储芯片价格大幅飙升,较去年3月涨幅最高接近1000%;头部巨头市值飙升但整体估值仍被低估

核心观点:AI驱动存储芯片进入“超长景气周期”,长期供货协议重塑商业模式,盈利确定性大增,当前估值处于历史洼地。

一、导语:一场由AI引发的存储“完美风暴”

全球存储芯片市场正经历前所未有的结构性变革。据央视财经报道,截至2026年3月,部分存储器价格同比涨幅已接近1000%(十倍),DRAM与NAND Flash全面进入卖方市场。TrendForce集邦咨询大幅上修全球存储器产值:2027年预计突破1.28万亿美元,较此前预测的8427亿美元上调逾50%。

与此同时,三星电子、SK海力士、美光科技三家巨头市值均突破1万亿美元,但市场对其估值担忧却被一份份超预期的财报和颠覆性的商业模式所消解。《华尔街日报》、瑞银等机构明确指出:长期供货协议(LTA)正在消灭周期,存储芯片从“大宗商品”蜕变为“战略资源”,当前个位数的预期市盈率严重低估了未来盈利。

二、价格飙升全景:涨幅近1000%,供需缺口历史罕见

2.1 价格数据实证

同比涨幅:2026年3月较2025年3月,主流存储器价格上涨约1000%(部分品类),DRAM 16Gb DDR5颗粒从4.68美元涨至34.08美元,涨幅627%。

合约价加速:2026年Q1 DRAM合约价环比上涨90%-95%(远超年初55%的预期),NAND合约价环比上涨55%-60%。

HBM(高带宽存储器):同比涨幅超200%,单台AI服务器DRAM用量是传统服务器的8-10倍。

2.2 供需失衡的根源

维度 现状

需求端 AI推理(Agentic AI)驱动存储器需求结构性扩张;微软、谷歌等云巨头锁定全球约2/3的服务器DRAM产能

供给端 全球70%先进存储产能被AI虹吸,新晶圆厂投产需18-24个月,2027下半年前无法形成有效供给

库存水位 DRAM库存仅够11周,SSD库存仅8周,远低于安全线

三、商业模式质变:长期协议“杀死”周期

传统存储芯片与石油类似,价格剧烈波动。但本轮周期出现根本不同:

大规模长期合约(LTA):美光已签下首份五年供货协议;闪迪有五家客户锁定了下财年超1/3产能;SK海力士明确表示“未来三年需求远超自身产能”。

盈利可预测性:瑞银分析师预测,2027年长期合约将覆盖全球30% 的DRAM出货量,未来盈利变为高度可预判的现金流。

价格锚定:客户已将芯片供应不稳视为核心经营风险,愿意接受稳定且更高的价格条款。

“如今存储芯片的战略地位愈发关键。”——SK海力士首席财务官金宇铉

四、巨头扫描:市值破万亿,估值却仅为半导体行业平均的1/3。

公司 最新业绩亮点 市值 预期市盈率(远期) 核心催化剂

SK海力士 2026 Q1营业利润率72%(全球半导体历史最高),净利同比+398% 超1万亿美元 约9.4倍 HBM全球份额57%,深度绑定英伟达

三星电子 2026 Q1营业利润同比+755%,一季赚了去年全年利润的1.3倍 超1万亿美元 约6-7倍 存储业务占集团利润83%,Q2合约价再涨30%

美光科技 2026 Q2毛利率74.9%,EPS超预期40% 超1万亿美元 约7.9倍 首份五年期LTA落地,DRAM/NAND价格同比+60%/80%

估值对比

三大存储巨头平均预期PE:7-10倍

费城半导体指数平均预期PE:26倍

标普500后10%区间包含美光等存储厂

《华尔街日报》评论:“即便是市值破万亿的存储大厂,目前股价依旧被低估。”

五、机构一致判断:超级景气至少延续至2027年

机构 核心观点 价格/供需预测

瑞银 DRAM短缺延续至2027年Q1,NAND至2026年Q3 2026 Q1 DDR合约价环比涨72%,NAND涨65%

摩根大通 供应紧张将持续至2026年后“很长一段时间” 散户无大规模获利了结,趋势未逆转

高盛(转向) 自2026年3月财报季后行业财务前景强化 2026年DRAM价格涨幅从150%上调至250%-280%

花旗 将SK海力士目标价大幅上调至310万韩元 2026 Q4 HBM定价环比再涨30%

中信证券 行业处于超级景气初期,至少持续至2026年底 合约价追赶现货价

英特尔CEO陈立武 供需失衡可能到2028年才会缓解 -

六、中国市场的镜像:出口激增174%,国产替代加速

6.1 出口数据

2026年Q1,中国存储器产品出口额459.9亿美元,同比增长174.2%。

深圳某物流企业:内存出口订单量翻倍,单笔货值过亿元大单明显增多。

6.2 A股业绩验证(2026年一季报)

55只存储概念股合计归母净利润同比增长超214%。

德明利:Q1净利同比+约120%

佰维存储:预计全年归母净利15-18亿元

香农芯创:净利润同比暴增逾7835%

长鑫科技(国产DRAM龙头):Q1营收508亿元(同比+719%),归母净利247.6亿元。上市后将成为全球第四大存储厂商。

6.3 外资动向

瑞银、摩根大通、巴克莱等在2025年Q4大幅新进/加仓大为股份、德明利等A股存储概念股。

七、风险提示:周期永远不会消失

尽管长期协议平滑了短期波动,但以下风险仍需警惕:

产能释放时点:2027年末至2028年,三星、美光等新建晶圆厂陆续投产,可能引发供给过剩。晨星分析师William Kerwin指出:“存储本质仍是周期。”

消费电子反噬:存储成本大涨已导致手机、笔记本涨价,TrendForce下修2026年PC/手机出货预期至年减2%-2.4%,可能反向压制需求。

节奏判断失误:高盛曾在2025年12月持续减仓美光直至踏空本轮大涨,表明即使基本面强劲,股价节奏仍可能产生重大偏离。

八、结论:估值重构刚刚开始

本轮存储景气周期的核心驱动力不再是简单的供需错配,而是AI革命催生的战略级长期协议制度。三大巨头当前个位数的市盈率,与超过100%的营收增速、超过300%的利润增速形成巨大剪刀差。随着2026下半年至2027年更多五年期合约落地,存储企业的估值中枢有望向全球半导体行业平均(26倍PE)靠拢。

九、投资主线:

(一)存储模组:短期业绩弹性最大,受益LTA重塑成长性

随着原厂与模组厂逐渐签订长期供货协议,两者经营的周期属性正在减弱,成长性增强。模组厂的关注焦点已从"有没有存货"转变为"能不能持续供货"。

核心标的梳理

公司 代码 核心逻辑 最新业绩验证

江波龙 301308 国内独立存储模组龙头,旗下"Lexar"消费品牌,产品覆盖嵌入式存储、SSD、内存条,恢复DDR4测试制造产能,广泛布局消费电子、工控及企业级 2026年Q1营收环比+64.3%,毛利率环比+24.7pct,归母净利超38亿元-11-13

佰维存储 688525 AI端侧存储领军企业,掌握NAND Flash与DRAM研发设计及封测能力,专注企业级存储市场,DDR4 RDIMM产品精准卡位数据中心和AI服务器高端市场 Q1营收环比+44.2%,毛利率环比+21.4pct-11

德明利 001309 聚焦存储主控芯片与模组,正从"白牌组装"向自主研发转型 Q1营收环比+82.5%,毛利率环比暴增+30.3pct,模组端弹性最大-11

香农芯创 300475 SK海力士核心代理商,直接受益HBM需求激增 Q1营收环比+168.5%,净利润暴增逾7835%-11-13

东吴证券强调,AI趋势下存储用量有望进一步提升。叠加Q2、Q3涨价超预期,看好模组厂的业绩持续性。-11同时,香农芯创作为海力士核心代理,将直接受益于三大原厂长协模式的深度推进,有望同步分享本轮超级周期的业绩红利。

关键事件验证:兆易创新H股已于2026年1月在港交所挂牌;佰维存储已递交港股上市申请;德明利计划定增募资不超过32亿元扩产SSD和内存产品。业内预计,本轮DRAM价格上涨有机会延续至2027年。-

(二)存储接口及配套芯片设计:深度受益技术迭代

公司 代码 核心亮点 景气受益逻辑

澜起科技 688008 全球内存接口芯片寡头,DDR5接口芯片市占率超40% AI服务器对DDR5需求暴增,单个服务器需多颗接口芯片,量价齐升-9

兆易创新 603986 国内NOR Flash绝对龙头,全球市占率前三,同步布局SLC NAND与利基DRAM Q1营收环比+76.6%,毛利率环比+12.2pct;旺宏、华邦Q2指引超预期,利基涨价正在全面兑现-11-31

普冉股份 688766 NOR Flash与EEPROM设计,聚焦消费电子和工控 Q1营收环比+63.3%,毛利率环比+18.9pct-11

东芯股份 688110 NAND、NOR、DRAM全品类中小容量存储 Q1营收环比+37.4%,毛利率环比暴增24.4pct-11

北京君正 300223 车规级存储隐形冠军,进入国际车企供应链 Q1营收环比+19.6%,毛利率环比+9.7pct-11-13

中信证券核心推荐逻辑明确指出:在AI时代持续看好存储需求超预期,预计行业供不应求将持续至2027年底,核心推荐方向是存储模组公司(短期业绩爆发能力强)和存储设计公司(持续推荐存储原厂及贴近原厂的设计公司)。-29东方证券建议持续把握存储产业链高确定性成长机遇,明确提出设计端关注兆易创新、普冉股份、东芯股份、北京君正等,配套芯片关注澜起科技、联芸科技等。-31

{三)、国产替代核心龙头长鑫科技的IPO进程

长鑫科技是国内唯一实现通用型DRAM大规模量产的企业,2026年Q1全球市场份额已达8%,为全球第四、中国第一的DRAM厂商。-23长鑫科技是长江存储之外的另一根国产存储柱石,肩负着中国在存储芯片领域自主可控的使命。

IPO里程碑与关键进度

时间节点 进展

2025年12月30日 科创板IPO获受理,系科创板试点IPO预先审阅机制后的首单受理项目。

长鑫IPO的四个关键关注维度

估值锚定:基于2026年归母净利润约1500-2000亿元的预测,以15-20倍PE测算,长鑫上市后市值区间为2.25万亿至4万亿元。有机构甚至给出4万亿元以上的估值预期,超过当前A股市值第一的建设银行(约2.67万亿元)。--23按上限20倍PE估算,市值可达4万亿元。与三大原厂7-10倍PE的估值洼地相比,长鑫科技作为拥有稀缺国产DRAM制造产能的核心资产,其上市定价将重新定义A股存储板块的估值天花板。三大原厂PE仅7-10倍,长鑫若以15-20倍定价,将带来显著的比价效应,提振整个A股存储板块的估值中枢。

产业协同效应:长鑫上市后,兆易创新(与其深度绑定)、通富微电(国内HBM封装唯一量产基地)、深科技(国内最大独立DRAM封测)、华天科技、雅克科技(前驱体材料供应商)等相关产业链公司将迎来更大发展空间。长鑫的国产替代进程将加速中国存储产业链从设计、制造到封测、材料的自主可控闭环。

二级市场资金分流效应:长鑫295亿元募资规模为科创板历史第二大IPO,加上可能的绿鞋机制,预计正式申购阶段资金冻结量将极为庞大。历史经验显示,超级大盘股IPO期间可能对二级市场存量资金形成短期挤出效应,需关注其申购日的市场流动性冲击。

长期格局转变:长鑫上市后,将与长江存储(NAND龙头,已更新招股书)形成国产存储双雄格局,共同构成中国存储产业链的制造基石,标志着A股硬科技板块正式迎来万亿市值时代的盈利锚。

(四)、全产业链投资地图总览

将三大主线与全产业链串联,形成完整的投资矩阵:

产业链环节 核心标的 景气传导逻辑

存储制造(未上市) 长鑫科技(DRAM,IPO过会)、长江存储(NAND) 国产替代核心,掌握产能与定价权

存储设计 兆易创新、澜起科技、北京君正、普冉股份、东芯股份 利基涨价+技术迭代双受益

存储模组 江波龙、佰维存储、德明利、香农芯创 业绩弹性最大,Q1营收环比44%-169%

先进封测 通富微电、深科技、长电科技、华天科技 HBM、DDR5封测需求爆发

设备与材料 北方华创、中微公司、拓荆科技、雅克科技、安集科技 制造扩产+封测升级双驱动

中信证券指出,存储目前仍处于超级景气周期前中段,供不应求至少持续至2027年。东方证券、爱建证券等机构共同看好存储芯片板块景气持续带来的历史性发展机遇。-29-32

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