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交银国际研报解读:中微公司(688012) Q1 业绩超预期,技术突破打开长期成长空间

wang wang 发表于2026-05-10 20:26:17 浏览2 评论0

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交银国际研报解读:中微公司(688012) Q1 业绩超预期,技术突破打开长期成长空间
近日,交银国际发布了中微公司(688012)更新研报,研报维持公司买入评级,将目标价从 418 元上调至 448 元,对应潜在涨幅 19.1%。

一季度业绩超预期,盈利能力持续修复

2026 年一季度,中微公司交出了一份超出市场预期的成绩单。
报告期内公司实现营收 29.15 亿元,同比增长 34.1%,高于交银国际此前预测的 28.0 亿元。
更值得关注的是公司盈利能力的修复。一季度毛利率达到 39.9%,已经连续两个季度环比上升,交银国际认为这是非常积极的信号,说明新产品上量对毛利率的拖累影响正在逐步消退,公司产品结构优化的效果开始显现。
利润端的表现同样亮眼,一季度公司实现净利润 9.30 亿元,大幅超出市场预期,这其中包含了公司出售部分拓荆科技股票产生的 3.97 亿元税后净收益;扣除非经常性损益后,公司扣非净利润达到 4.78 亿元,同比增长约 60%,增速显著快于营收增速,说明公司主营业务的盈利能力正在快速提升,业绩增长的质量较高。

核心技术突破:3D DRAM 刻蚀产品进入头部客户认证

在这份研报中,交银国际最看好的是中微公司在新产品落地方面的进展,尤其是第二代 ICP 刻蚀产品在 3D DRAM 应用中的突破。
根据公司披露的产品路线图,中微公司的第二代 ICP 刻蚀产品已经实现了 140:1 的高深宽刻蚀结果和优秀的形貌控制能力,并且已经正式付运到国内领先的存储客户端进行认证。
3D DRAM 是下一代存储芯片的核心技术方向,目前全球范围内尚未进入大规模生产阶段,行业普遍预测大规模上市要到 2028 年之后。
参考此前 3D NAND 的制造经验,刻蚀设备将在 3D DRAM 的制造过程中发挥至关重要的作用,中微公司在这个领域的提前布局和技术突破,也给国产存储芯片赶超世界先进水平带来了更多信心。
除此之外,公司的 CCP 刻蚀产品已经实现 90:1 超高深宽比并交付客户端验证,化学气相刻蚀设备实现了大于 700:1 的业界领先 SiGe/Si 高选择比,多个产品线的研发步伐都在持续加快。
交银国际预测,2026 年公司 ICP 产品的收入将首次超过 CCP 产品,分别达到 65.9 亿元和 62.7 亿元,同时薄膜沉积产品的收入也将达到 8.0 亿元,公司的产品矩阵正在持续完善。

目标价上调至 448 元,长期成长逻辑清晰

基于公司一季度的业绩表现和技术进展,交银国际上调了中微公司的盈利预测。
考虑到国产存储芯片客户中短期扩产积极,同时部分客户的资本开支在 2026 年小幅回落后,将在 2027 年重新加速上涨,交银国际将 2027 年公司营收预测从 196.0 亿元上调至 219.2 亿元,同时微调 2026 年营收预测至 164.2 亿元。
盈利预测方面,交银国际将 2026、2027 年 EPS 预测从 5.56、6.96 元上调至 6.01、7.47 元,维持 60 倍 2027 年市盈率的估值水平,将目标价从 418 元上调至 448 元,维持买入评级。
作为国产半导体刻蚀设备的龙头企业,中微公司在 ICP、CCP 刻蚀设备以及部分薄膜沉积产品上已经具备了明显的技术优势,在国产替代的大趋势下,公司的长期成长逻辑非常清晰。不过也需要注意,半导体行业的资本开支波动较大,同时高端设备的研发存在不及预期的风险,投资者需要结合自身风险偏好做出决策。
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