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摘要：10nm以下DRAM微缩遇阻，4F²垂直单元成行业主流技术路线。长鑫依托跳代研发缩小代差，合肥北京产线2026年全面达产，上海HBM新工厂落地，LPDDR技术追平海外，持续补齐高端存储短板。
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