研报分享:磷化铟(附原文下载)

AⅠ算力驱动光互连升级,磷化钢全产业链从"材料瓶颈"走向"价值重估"

随着800G光模块规模化部署、1.6T加速导入.CPO/SiPh在下一代AI集群中从样品向量产迁移，磷化锢(InP)作为唯一可支撑1310/1550nm长距高速单模发射的直接带隙III-V材料，其战略地位从"光通信衬底"跃升为"AI基础设施卡脖子环节"。2025年全球InP器件需求约200万片，实际产能仅约60万片，供需缺口超50%，且扩产周期长、良率爬坡慢、上游锢资源伴生于锌矿，供给弹性极弱。

上游金属铟供给约束极强：90% 铟为锌矿伴生，中国精炼铟占全球 70%；2025 年国内出台磷化铟出口管制，叠加 6N 级高纯铟提纯工艺复杂，东西方铟价持续分化，原料稀缺向上游传导。

中游分为衬底、外延两大环节。衬底壁垒最高、寡头垄断，住友（42%）、AXT / 北京通美（36%）、JX 日矿（13%）合计市占超 90%，长晶、扩产、良率爬坡难度大；两家龙头均大额扩产，同时受国内出口许可制约。外延市场规模更大、竞争更分散，依托可采购 MOCVD 设备，主打定制化薄膜生长。行业正从 4 英寸向 6 英寸晶圆升级。

下游光芯片分四代演进：当前 EML 激光器被英伟达锁产能、严重缺货，倒逼 CW + 硅光方案快速渗透，但 CW 光源仍依赖 InP 衬底；远期 2026-2028 年 CPO+ELS、2030 年后硅基单片 III-V 落地，InP 光源不可替代。TFLN 仅负责调制，与 InP 不存在替代关系。

产业链利润向衬底、外延、高端光芯片集中，具备 IDM 垂直整合能力的海外厂商议价优势突出。