东吴证券研报解读:长川科技等半导体设备商迎来 HBM 扩产红利AI 浪潮席卷全球，半导体产业链正迎来新一轮的爆发期。东吴证券最新发布的研报指出，SK 海力士一季度业绩远超市场预期，核心驱动力正是 HBM（高带宽内存）需求的爆发式增长。随着国内长鑫存储启动 HBM 扩产计划，国内先进封测设备商将迎来重大发展机遇。SK 海力士业绩创历史新高，HBM 成核心增长引擎
2026 年第一季度，SK 海力士交出了一份令人惊叹的成绩单。公司营收达到 52.58 万亿韩元，约合人民币 2441 亿元，同比增长 198%，环比增长 60%；净利润更是高达 37.61 万亿韩元，约合人民币 1746 亿元，同比增长 406%，环比增长 96%。最引人注目的是，公司净利率达到约 77%，创下全球半导体行业历史新高，这一数字甚至超过了英伟达的 65% 和台积电的 50.5%。这份亮眼业绩的背后，是 AI 算力需求爆发带来的 HBM 市场红利。随着大模型训练和推理需求的激增，HBM 作为 AI 芯片的核心配套存储，价格出现了大幅上涨。一季度 HBM 和 DRAM 的平均售价环比上涨约 60%，成为 SK 海力士利润增长的主要来源。目前 SK 海力士在全球 HBM 市场占据近 60% 的份额，深度绑定英伟达的 HBM3、HBM3E 以及下一代 HBM4 产品线，充分享受了 AI 存储市场的先发优势。HBM 价值占比持续提升，先进封装成后摩尔时代关键
在后摩尔时代，先进封装的重要性日益凸显，而 HBM 正是其中价值量最高的环节之一。根据盛合晶微招股书披露的数据，在主流 AI 芯片中，HBM 的成本占比相当可观。英伟达 B200 芯片中，单颗 HBM 成本达到 2720 美元，占芯片总成本的约 42%；博通 TPUv6 芯片中，HBM 成本为 991 美元 / 颗，占比约 40%；美满电子 Trainium2 芯片中，HBM 成本约 1060 美元 / 颗，占比约 30%。这一组数据清晰地表明，HBM 已经成为 AI 芯片成本构成中最重要的组成部分。随着 AI 芯片性能的不断提升，对内存带宽的需求呈指数级增长，HBM 通过 3D 堆叠技术实现了远高于传统 DRAM 的带宽，成为支撑大模型训练的关键基础设施。可以预见，随着 AI 技术的持续演进，HBM 在先进封装中的价值占比还将进一步提升，相关产业链企业将持续受益。长鑫存储启动 HBM 扩产，国内设备商迎来发展机遇
在全球 HBM 市场快速增长的背景下，国内存储龙头长鑫存储已经积极布局。东吴证券研报指出，长鑫存储已启动 HBM 的扩产计划，拟通过 IPO 募集 295 亿元资金，主要用于三个方向：现有产线的技术升级改造、DRAM 包括 HBM 技术升级，以及前瞻技术研发。这标志着国内 HBM 产业化进程正在加速推进。长鑫扩产将为国内半导体设备商带来新的市场空间。HBM 等先进封装技术的快速发展，正在催生封测设备的新增需求。在测试机领域，SoC 芯片设计和制造的复杂性大幅增加，先进存储芯片的容量和带宽不断提升，对高性能测试机的需求显著增长。在封装设备领域，AI 芯片主要采用 HBM、CoWoS 等 2.5D 和 3D 封装技术，涉及 TSV 刻蚀设备、薄膜沉积设备等前道图形化设备，同时对减薄机要求提升，还新增了混合键合等新电气互联方式。重点投资标的分析，把握半导体设备国产化机遇
基于 HBM 扩产带来的设备需求，东吴证券研报给出了明确的投资建议。在测试设备领域，建议关注 AI 芯片带来的国产存储、SoC 测试机突破机会，相关标的包括长川科技、华峰测控等。长川科技在测试机领域持续突破，产品覆盖数字、模拟、混合信号等多个领域，有望受益于国内存储芯片测试需求增长。华峰测控作为国内模拟测试机龙头，产品技术水平不断提升，正在逐步实现进口替代。在封装设备领域，国产 AI 芯片采用 CoWoS 和 HBM 先进封装，中国在封测环节具备较强的全球竞争力，国内先进封装有望进入起量元年。相关标的包括北方华创、中微公司、拓荆科技等。北方华创在 TSV 刻蚀设备领域具备技术优势；中微公司的刻蚀设备已进入国际先进生产线；拓荆科技在薄膜沉积和键合设备领域持续突破。这些国内设备厂商将充分受益于长鑫等国内存储厂商的扩产需求，迎来业绩增长的重要窗口期。
