美银存储研报:内存条涨疯了,预期三季度涨价21%

美银全球研究部（BofA Global Research）发布最新一期存储周报《三季度 DRAM 价格上行强劲，TSMC 与 ASML 指引再添上行动能》。

分析师用一句话给全篇定了调："存储涨价还没结束。"

在过去八周里，美银连续跟踪了原厂合约价谈判进度。结果是连涨八周，无一周下跌。

五条一手信号非常直白：

• 服务器 DRAM 合约价环比涨 20–30%；
• HBM3e 合约价环比涨 8%，供应仍全面吃紧；
• LTA（长约）覆盖率跌至 50% 以下，剩下一半全部按现货加价成交；
• DDR4 因 60–70% 的翻倍涨价与 QoQ 涨幅同频，甚至拉高了 DDR5 的定价锚；
• 部分原厂对 LTA 客户的 20% 长约订单开始断供转卖现货——这在存储史上极为罕见。

综合下来，美银给出预测：2026 年三季度全球 DRAM 均价环比涨 21%，NAND 均价环比涨约 15%。

作为对比，行业最权威的第三方 TrendForce 此前的预测是——传统 DRAM 涨 13–18%，含 HBM 后综合涨 8–13%。美银的口径，整整比行业共识高出 8 个百分点。

这份报告最反常识的一条是：这一轮，NAND 是被 DRAM 拽起来涨的。

现货市场里，DDR5 16Gb 每 GB 报价已冲上 5.5 美元，甚至比多数 OEM 的合约价更贵。原因是很多头部买家为了保下季度产能，直接从二级现货市场抢货，倒逼一部分 DRAM 客户开始转买 NAND 替代。

DDR5、DDR4 三季度现货涨幅都在 20% QoQ；NAND 现货虽然只有 1% 上下，但美银判断——7 月中旬进入趋势性上行的信号已经出现。

同一周，TSMC 与 ASML 相继放出二季报。美银把它们放在一起看：

• TSMC 收入 34% YoY、营业利润率跳到全新纪录，直接把 2026 全年收入指引上调 10%+；
• ASML 拿到 55 亿欧元订单，比市场预期高 27%，管理层暗示新一轮 AI 芯片和高数值孔径 EUV 的产能扩张周期正在打开。

代工与设备端的双双超预期，AI 算力资本开支不会停，存储厂只会更缺产能。

存储行业过去二十年最大的规律是——它一定会崩。上一次崩是 2022 年。所以当涨价一开始，市场的第一反应永远是：这次能撑多久？

美银这份报告没有直接回答"顶在哪"，但它把三条底层结构性变化摆得很明白：

产能优先做 HBM，普通 DRAM 供给被结构性挤压；AI 服务器单机内存挂载量还在往上加；LTA 覆盖率跌破 50%，价格弹性重新回到卖方手里。

简单说：这一轮不是缺 AI 芯片，是缺 AI 芯片旁边那根内存条。

如果美银是对的，三季度财报季，会有一批存储公司的 EPS 兑现幅度远超市场共识。TrendForce 或许保守了，但美银这次未必激进——它更像是把已经发生的现实，提前写进了报告里。

对存储行业而言，真正的问题已经不是"还能涨多久"，而是"能涨多高"。

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