全球存储行业产能结构迁移与替代窗口
在全球存储行业经历由人工智能驱动的产能结构性迁移过程中，国际存储龙头退出专用型存储长期战略方向较为确定。利基型 DRAM 方面，三星、SK 海力士、美光已相继发布 DDR4 减产与停产计划；SLC NAND Flash 方面，铠侠、美光等厂商转向 3D NAND（TLC/QLC）而削减 SLC NAND 产能，供给缺口自 2025 年起显著释放。本轮产能替代空间具有结构性特征，为兆易创新打开了替代窗口。公司有望复刻其在 NOR Flash 领域已验证的份额增长路径，在利基型 DRAM 与 SLC NAND Flash 市场实现份额的较快增长。
专用型存储需求刚性与增量空间
专用型存储（利基型 DRAM、SLC NAND Flash、NOR Flash）具有较强的需求刚性。利基型 DRAM 凭借低延迟、随机读写的特性适配设备实时运算缓存。SLC NAND Flash 擦写寿命与稳定性出众，两者在汽车、工控等场景中相比通用型存储仍有明显优势。NOR Flash 支持代码就地执行，读取响应迅速，是固件启动必备载体，也具有不可替代性。同时，智能驾驶、AI 算力建设以及端侧 AI 的发展为专用型存储提供了需求增量。例如，AI 服务器单台 NOR Flash 总容量可达数百 MB，端侧 AI 催生了全新的定制化存储 DRAM 需求。
DRAM 业务：深度绑定长鑫，放量可期
兆易创新与长鑫科技的深度合作是公司 DRAM 业务的核心支撑。2026 年 3 月，公司公告将从长鑫科技集团采购代工 DRAM 产品年度额度从 2025 年的 11.82 亿元大幅提升至 2026 年的 57.11 亿元。依托长鑫科技代工产能的释放，公司 DDR4 8Gb 于 2025 年初量产并在三季度销量追平 4Gb 产品；LPDDR4 量产与 LPDDR5 研发持续推进。我们预测公司 DRAM 收入在 2026/27 年分别为 103.7/139.1 亿元，同比增长显著，毛利率从 2025 年的 30.5%提升至 2026 年的 69.9%和 2027 年的 75.9%。
SLC NAND Flash 与 NOR Flash：供给缺口加速释放
SLC NAND Flash 方面，公司以 24nm 先进制程形成差异化竞争优势，在工控、汽车等高可靠性场景的需求粘性支撑下，供给缺口带来的利润弹性较为可观。我们预测公司 SLC NAND Flash 收入 2026/27 年分别为 18.4/29.0 亿元，毛利率提升至 75.9%。NOR Flash 方面，AI 服务器带动大容量高端产品需求提升，同时 45nm 制程量产摊薄单位成本进一步提升毛利率。我们预测 NOR Flash 收入 2026/27 年分别为 99.2/133.3 亿元，毛利率提升至 2026 年的 64.0%。
非存储业务：MCU 份额巩固，模拟业务贡献提升
MCU 作为公司专用型存储外的第二大业务，目前行业价格依然处于周期底部，但公司以价换量巩固份额效果显著，并通过高端产品有望进一步扩展市场。模拟业务有望在收购苏州赛芯后进一步提升对整体业绩的贡献，赛芯承诺 2024-26 年扣非净利润分别不低于 6,000/7,000/8,000 万元，当前 2025 年业绩承诺已顺利完成。我们预测模拟收入 2026/27 年分别为 4.0/4.7 亿元，毛利率提升至 45%左右。
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（报告来源：交银国际。本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）
