一. 研报基础信息
1. 研报标题：EMIB-T Roadmap, Custom HBM, HBM4 Packaging Challenges, Microfluidic Cooling, Photonic Interconnects, and More（EMIB-T 技术路线图、定制 HBM、HBM4 封装挑战、微流控冷却、光子互连及其他）
摩尔定律晶体管密度微缩放缓之后，先进封装已成主战场；但当前 AI 大模型加速器芯片功耗达数千瓦、HBM 带宽与 I/O 引脚持续翻倍，传统封装架构出现多重瓶颈——
圆形中介层卡死封装尺寸与晶圆利用率
HBM4E I/O 翻倍、速率再提
多千瓦级封装冲垮传统散热架构、封装内芯片间走线拥堵
本报告系统梳理 ECTC 2026 全场最具商业化落地潜力的六大技术赛道：英特尔 EMIB-T 桥接封装、Marvell 定制 HBM、三星 HBM 硅中介层与混合键合热管理、台积电 / 微软硅基微流控液冷、共封装光子互连（CPO/OMIB）、下一代中介层 / 基板 / 键合配套底层材料工艺，横向对比台积电 CoWoS、英特尔 EMIB-T 两大 2.5D 平台优劣势，预判未来 3-5 年 AI 加速芯片封装技术演进路线。
(1) 关键进展：
Bump pitch：已在 2×掩模版封装上验证 36/35 μm（较 Granite Rapids-AP 的 45 μm ↑65% 凸点密度），正向 4.5×掩模版扩展，2026 年底认证；25 μm 测试载体已跑通
低于 25 μm 后瓶颈从"桥接布线密度"切到"凸点成型 + 贴装精度 + 组装良率"
大尺寸：240 mm × 240 mm 四分之一面板测试载具（≈67 掩模版），但展台样品翘曲明显——大尺寸下桥接只是问题之一，基板 handling / 翘曲 / 对准 / 面板级光刻才是主约束
桥接结构升级：10 金属层（4 布线层）+ M1-M2 间 MIM，电容密度 500 nF/mm²（看齐 Intel 18A）；TSV 直供电源使 DC 压降 ↓68–80%
HBM4E 信号：12 Gb/s 无 DFE 眼宽 ~67% UI，加 1-tap DFE → ~72.5%；12.8/14/16 Gb/s 仿真眼宽均 >60%
路线图：更高密度 MIM、大尺寸高深宽比桥片、sub-25 μm、有源桥、嵌入式稳压器；DTC / eMIM-T（>2500 nF/mm²）已披露但未量产
文中 EMIB-T 的"有源桥、嵌入式稳压、DTC"这些，国内 OSAT 还没对标产品——长电 XDFOI 是最接近的，但差距在桥接片自制能力（Intel 自己做 EMIB 桥，长电靠外购/合作）。
(1) 动机：JEDEC HBM 接口标准化牺牲了 PPA——ASIC 必须留出固定 shoreline 做标准 PHY，封装越大越难优化。
(2) 做法：DRAM 核心不变，base die 改在先进逻辑工艺上做，集成 HBM 控制器 + 管理 + 定制逻辑；接口从标准 JEDEC PHY 换成高密度并行自定义接口。
(3) 量化收益（vs JEDEC HBM4E）：
加速器芯片 HBM 相关逻辑面积减少 60%，释放空间用于算力 / 缓存； 中介层信号通道长度由 6.5mm 缩短至 1.5mm，布线拥堵大幅缓解； 实例配置：1024 通道 ×32Gbps，带宽 4.1TB/s，等效标准 2048bit HBM4E 16Gbps 性能。
Nvidia Feynman（Rubin 后一代）已官宣用 custom HBM，估算 Rubin 上 ~16% die 面积给 HBM PHY，cHBM 可把这坨挪到 base die
cHBM base die 还可做二级内存控制器，扇出 LPDDR 或第二层 HBM，不占 ASIC shoreline——AMD MI450/MI500 也会走这条线
文中 Marvell cHBM 把 PHY/控制器搬进 base die（先进逻辑工艺），Nvidia Feynman 跟进。国内对应：
长鑫 + 兆易系：长鑫 HBM2E/3 在爬，cHBM 需要 base die 走先进逻辑（N5/N4 级），这块国内代工（中芯 N+2）能做但良率/密度吃亏
深科技（存储封测）、通富（HBM 封测）——cHBM 封装环节的承接方
雅克科技（前驱体）、鼎龙股份（CMP 垫/ slurry）——HBM 介质/抛光耗材
兴森（HBM 载板小批量）
cHBM 真正卡脖的是 base die 的先进逻辑产能（国内没有 N5 级）——所以短期国内 cHBM 机会更多在封测+载板+材料，不在 base die 本身。
(1) HBM4E 专用 8 层硅中介层
HBM4E I/O 引脚翻倍、功耗较 HBM3E 提升 86%、是 HBM2 功耗 5.6 倍，三星 8 层硅中介层相较预估层数减少 20%：
布线结构：2 信号 + 1 地线交错屏蔽布局，75% 层数用于信号走线； 配套 UHC 超高密度电容，优化 M1 层电容均匀排布，均衡 PDN 阻抗、降低电压噪声。
(2) HCB 混合铜键合散热对比 TCB 热压键合
针对 16/20/24 层高堆叠 HBM 散热瓶颈，对比两种键合方案：1）整体热阻：HCB 方案系统总热阻下降 3.5%-7.7%，HBM 内部热阻降低 12.5%，GPU-HBM 热串扰下降 9.8%；2）功率扩容收益：同等封装温度下封装功耗可提升 4%，同等功耗进水温度提升 1-2℃，整机冷却功耗降低 7%；3）堆叠层优化：提升 HCB 焊盘密度可将堆叠热阻最高降低 29.1%；4）应用痛点：随基底芯片算力提升，GPU-HBM 热串扰占比持续下降，堆叠自身热阻成为主要瓶颈，定制 HBM 架构下散热压力进一步放大。
这条是国内辨识度最高的线，分三层：
原片（材料端）：
彩虹股份：G8.5 溢流下拉，200mm 半导体级玻璃原片，热膨胀匹配度国内最优，供货沃格等
凯盛科技（中建材）：自研硼硅基材 + 8 寸 TGV 中试
TGV 加工（核心卡位）：
沃格光电（603773）：A 股纯度最高，3μm 孔径 / 150:1 深宽比，华为 3D Chiplet TGV 量产订单、1.6T CPO 载板入华为规范、中际旭创 1.6T 小批量、长电/通富多轮测试
蓝特光学（688127）：12 寸晶圆级 TGV，日月光 HBM 玻璃中介层全项认证已过，进入小批量送片；康宁战略伙伴
京东方 A：510 mm 面板级试验线 2026 H1 通线，9-2-9（20 层）样品，康宁三年合作，对准超大板 Glass Bridge
蓝思科技：央视报道 510 mm 一次性 300 万孔 0ppm，2026 底 3 万㎡投产
封测承接：
长电、通富——产线兼容 TGV 玻璃中介层
深南电路、兴森——有机 RDL 中介层 + 玻璃协同
这条线是文中 Intel 24 层 510×515 mm 玻璃面板最直接的国产映射，沃格+蓝特+京东方三家的客户结构差异很大：沃格=华为+光模块，蓝特=日月光 HBM，京东方=超大板 AI 算力（远期）。
4. 微流控冷却：直触硅成为多千瓦救星
(1) 台积电TSMC（CoWoS-R + 微柱）
3.3×掩模版中介层、4 SoC + 8 HBM 测试载具，SoC 背面做 silicon micropillar
传统 lidded 1–2 LPM（40 °C DI 水）：1.9–2.3 kW；lidless：2.5–3.0 kW；>4 LPM 饱和（TIM 瓶颈）
微柱：2 LPM 打平 lidless，4 LPM → 4 kW，8 LPM → 5.3 kW；整机 >5 kW 均匀散热
代价：CoW 后做微柱不能伤结构 + 新密封胶抗翘曲/热膨胀
(2) 微软Microsoft（GH200 实机 + 硅刻微通道）
1 LPM 下 GPU 结到入口热阻 ↓51–60%，HBM 仅 ↓27–37%（HBM 仍走冷板 TIM）
封装整体热阻 ↓50%
6 个月 ~4370 次观测仅 9 次潜在堵塞，微通道无硅侵蚀；GH200 节点级 3 周循环 benchmark + 1 周连续稳跑
仍在测集群 MTBF
(3) 对应国内投资标的
国内没有直接对标 TSMC/Microsoft 的"硅背刻微柱+冷却液直触"产品（那是台积电+英伟达生态闭环），但产业链拆分：
液冷设备/模组：高澜股份、英维克——AI 服务器液冷已批量，微流控是下一代但还没到国内客户
TIM 材料：飞凯材料、回天新材——HS-TIM/液态金属在跟进，但文中 HCF-TIM（碳纤维 10 W/m·K）国内还偏早期
中芯国际——背面供电（BSPDN）与微流冷在工艺上有协同，但国内还没看到封装级微流控实证
这条线国内主题大于业绩，TSMC 的 micropillar 是 CoWoS-R 专属工艺，国内 OSAT 短期做不到。
5. 共封装光学 CPO：Marvell OMIB+Lightmatter 光子中介层
封装内光互连解决电互连带宽密度、海岸线瓶颈，分为局部嵌入式 OMIB 与整片光子中介层两条路线。
(1) Marvell OMIB（收购 Celestial AI 所得）
PIC 只嵌在有机 RDL 需要光互连的区域，其余用电桥——规避全光子中介层掩模版拼接良率问题
PIC 光栅区塑封前放硅/玻璃光块，保上通 FAU
测试载具：1 XPU + 6 EIC，中介层嵌 6 PIC + 6 电桥 + 12 DTC，~2 掩模版、4 层 2/2 μm
带宽密度 1.8 Tbps/mm²，同桥可跑封装内 die-die + 外部光互连，消除 shoreline 限制
热数据：PIC 在有机基板（UCIe-S）XPU 满载温升 <5 °C；硅中介层 ~25 °C、硅桥 ~20 °C（有机基板 mm 级气隙隔热好）
EIC-PIC 用 50 μm 微凸点；EIC 5 nm（疑 TSMC N5），4×56 Gb/s TX-RX = 224 Gb/s/方向，用 EAM 而非 MRM（热稳更好但量产难）
(2) Lightmatter Passage M1000
4-tile 中介层 ~2100 mm²（Hot Chips 2025 八 tile 4000 mm² 的一半），chip-on-wafer 贴 15 个 ASIC 芯粒
每 tile 32 光波导 @127 μm 间距；C4 ~176 μm，TSV 126 μm 深 / 10 μm 宽
2100 mm² 中介层只占 7200 mm² 有机基板 <1/3（比等效硅/RDL 中介层"铺满封装"更省）
260 °C 回流翘曲 ~59 μm，磁吸夹具压平 → >95% 电气组装良率
热测试：每象限 170 W（有源区 1.47 W/mm²），25 °C 冷却液 1.8 LPM/kW 下光子中介层 ~100 °C，验证集中 680 W 可散（封装设计 >900 W）
(3) 对应国内投资标的
文中 OMIB 是封装内嵌 PIC+EIC+电桥的 2.5D 集成（Marvell/Celestial AI），Passage 是多 tile 光子中介层——国内目前没有对位"封装级 OMIB"的标的，只有 CPO 光模块+光引擎链：
光模块（已兑现业绩）：
中际旭创——1.6T 全球龙头，英伟达主力，泰国 800G CPO 批量，沃格 1.6T 玻璃载板已供货
新易盛——LPO 龙头，1.6T 量产
光迅科技——国家队，全栈自研
华工科技——3.2T CPO/NPO 商用
光引擎 / 无源 / FAU（CPO 良率关键）：
天孚通信——FAU 光纤阵列单元（文中 OMIB 的 FAU 就是这类），英伟达 CPO 生态核心供应商
光库科技——薄膜铌酸锂调制器
仕佳光子——AWG 光波导，适配 CPO
光芯片：
源杰科技——100G/200G EML，200G 过英伟达认证
长光华芯——EML/VCSEL
CPO 封装设备：
罗博特科——硅光/CPO 键合设备
国内缺的是"光子中介层 + 电桥 + DTC 嵌入有机 RDL"这种 OMIB 级集成能力（Marvell 收购 Celestial AI 才有的）。天孚的 FAU、中际的 CPO 模块是最贴近的切入点，但"封装内光互连"国内还在学院阶段。
6. 配套底层封装材料与中介层替代方案
(1) 混合键合（HB）
三井+ASE：200 °C 10 μm pitch 无压 Cu/聚合物键合；TOK+NCTU：150 °C 10 秒键合
Intel 细晶铜 + 低温介电：175/200 °C 退火 W2W 键合，电良率 ~60%（下限，D2W 才是目标）
应用材料+EVG：450 nm pitch W2W，2000 万链 98% 良率；CEA-Leti 100 °C 退火无等离子激活 >97%
国产对应相关标的
设备+材料端：
拓荆科技——混合键合设备（晶圆对晶圆）
华海清科——CMP（HB 关键工序）
盛美上海——清洗+电镀，HB 产线配套
鼎龙股份——HB 介电材料/抛光垫
文中 450 nm pitch、98% 良率是应用材料+EVG，国内拓荆/华海在 W2W HB 有样机，D2W（芯片对晶圆）差距更大——而这恰恰是 EMIB-T 桥接、HBM 堆叠的未来方向。
(2) 中介层替代方案（去硅中介层趋势）
Intel+SPIL：FO-EB 嵌 SRAM 芯粒，25 μm 微凸点，265 GB/s/mm² @0.24 pJ/b
面板级有机：Resonac 320 mm 面板干膜嵌桥（5 μm 微通孔、2/2 L/S）；ASE 600 mm 面板切 4 块 300 mm 复用旧线
IBM DBrM：30 μm 硅桥边缘粘接，弯折 >30 N（旧结构 0.2 N）
欣兴：两芯粒下挂薄硅桥、直连基板，无需中介层也不嵌桥
(3) RDL 微缩
2015 年 10/10 → 现在 2/2 → 下一个 1/1 μm；sub-2 μm 要从 SAP 切到 Damascene（CMP + 低收缩介电）
imec+富士胶片 300 mm 上 1/1 μm；Ushio 18 掩模版无拼接 1.5/1.5 μm，16 次曝光覆盖 510×515 面板
TSMC+GUC：8 层 CoWoS-R RDL（短期极限），N3 上 64-bit UCIe-A @45 μm bump，32 GT/s 实测眼宽 0.77 UI，36 GT/s 仿真 0.74 UI
国产对应相关标的
兴森科技、深南电路——高端 FCBGA + 面板级 RDL，2/2 μm 在攻，1/1 还在早期
珠海越亚——嵌埋基板/无芯基板，RDL 微缩受益
Resonac/味之素 ABF 国内暂无替代，但华正新材、生益科技在做 ABF 类材料攻关
(4) 玻璃基板
主要未解：SeWaRe（切割边横向裂纹）——刚性铜层把裂纹拉向玻璃中面，柔性聚合物改路径；低 CTE 聚合物 + 选玻璃可降失效率
STATS ChipPAC 74×74 mm：无边缘涂层全败，涂层完测过 + 翘曲 ↓33.5%
Intel 首发 510×515 mm 玻璃核面板，24 层、铜填 TGV、嵌 2 EMIB 桥 + TGV 间共形光波导，热冲击后无 SeWaRe，走现有有机基板线
但 Amkor/STATS 反馈组装缺陷 + TGV 填充仍不稳 → 玻璃还在制造开发，未到大规模量产
(5) Samsung VCS（垂直铜柱堆叠，无 TSV）
4 层 DRAM 用模塑内 <56 μm 高深宽比铜柱互连，RDL 替基板
同频功耗 0.646 → 0.384 W（↓41%），速率 8.6 → 11.8 Gb/s（+8% 功耗）
封装高/面积各 ↓40%，带宽 ↑2.6×，I/O ↑6×；原盯移动端，但 AI 加速器 / SOCAMM 也有戏
国内没有直接对标产品，但工艺可迁移：
长电、通富——Fan-out 铜柱技术有积累，可往 VCS 方向延伸
华天科技——FoPLP 面板级，铜柱堆叠潜在承接
(6) 热界面材料（TIM）
SPIL 在 FO-EB 上测：HCF-TIM（碳纤维）10 W/m·K、LM 复合 5.7 W/m·K vs 商用硅基 4 W/m·K；150 °C 1000 h 后 HCF 覆盖率 95%、HS-TIM 硅胶硬化只剩 75%
普渡+阿威罗+UCLA：Cu/Sn 微凸点嵌纳米晶金刚石，面内热导率 500–600 W/m·K（常规微凸点+底填的 ~20×）——非 TIM1 替代，是 3D 堆叠互连层内横向扩热
四. 行业横向竞争格局总结
2.5D 大型 AI 封装平台 台积电 CoWoS（S/L/R）量产生态领先，在集成稳压、DTC 电容、有源互连具备成熟优势；英特尔 EMIB-T 依靠 TSV 垂直供电、面板级超大封装快速追赶，将成为谷歌 TPU 核心方案，二者长期双寡头竞争。 内存架构 标准 JEDEC HBM 短期仍是主流；Marvell 定制 cHBM、英伟达 Feynman 定制 HBM 代表高端 AI 芯片长期趋势，AMD、英伟达头部厂商跟进，内存逻辑向 HBM 基底转移成为共识。 散热路线分化 短期：改良液态金属 TIM、HCB 混合键合优化现有风冷 / 水冷系统；中长期：台积电、微软硅基微流控直冷，面向 4kW 以上超高功耗 AI 服务器。 光互连落地节奏 短期：Marvell 局部 OMIB 嵌入式光子桥，量产难度低；长期：Lightmatter 整片光子中介层，适配超高带宽集群互连；玻璃基板集成光波导为远期配套方案。
Intel EMIB-T 是 CoWoS 之外唯一能接 Google TPU v9 级大封装的备选，但生态差距仍需 2–3 年追 HBM4E/HBM5 时代，标准化 JEDEC 接口无法满足算力芯片功耗、面积需求，定制化基底 HBM 成为高端 AI 加速器标配; Custom HBM 会成 Nvidia/AMD 下一代标配——省 shoreline、提带宽、还能扇出 LPDDR 扩容量 散热是比互连更早爆的瓶颈：微流控直触硅在 TSMC+Microsoft 两条线都已实证 5 kW+，2027–2028 高端 AI 封装大概率上马 光子互连走"局部化"（OMIB / 小 tile 光子中介层）比"全封装光子中介层"现实得多，掩模版拼接良率是死穴 面板级、玻璃核、有机 RDL 2/2→1/1 μm 是绕过圆形晶圆利用率天花板的三条并行路线，Intel 510 mm 玻璃面板是目前最激进的实物
卡位硬通货（有订单/认证，2026–2027 看得到）
长电科技 600584 — XDFOI + HBM 封测
中际旭创 300308 — 1.6T CPO 已出货
天孚通信 300394 — FAU，英伟达 CPO 生态
沃格光电 603773 — TGV，华为+旭创+长电
蓝特光学 688127 — TGV，日月光 HBM 认证
华海清科 688120 — CMP，HB+RDL 双吃
鼎龙股份 300054 — HBM 前驱体+HB 介电，双跨
中试送样（2026 底–2027 放量）
京东方 A 000725、通富微电 002156、新易盛 300502、兴森科技 002436、拓荆科技 688072、光迅/华工
主题期权（2028 前难贡献利润）
彩虹/凯盛（TGV 原片）、高澜/英维克（液冷延伸）、生益/华正（ABF）
对照文中 SemiAnalysis 的原判——"EMIB-T 追 CoWoS 差 2–3 年生态，玻璃基板还在制造开发非大规模量产"——国内对应时间窗是 2026 送样 → 2027 小批 → 2028–2029 随 HBM4/CPO 放量。
