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长鑫存储深度研报:全球第四大DRAM厂商即将IPO,中国半导体史上最大上市来了

wang wang 发表于2026-06-24 15:45:55 浏览1 评论0

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长鑫存储深度研报:全球第四大DRAM厂商即将IPO,中国半导体史上最大上市来了

当一家公司用十年时间从零崛起为全球第四大DRAM厂商,当年营收突破500亿美元、净利润超700亿元,却仍被低估——它的IPO,注定将成为2026年全球半导体市场最受瞩目的事件。

一、核心观点速览

长鑫存储(CXMT)即将登陆科创板,这可能是中国历史上规模最大的半导体IPO。公司当前已是全球第四大DRAM制造商,多项数据创下历史新高:

指标
2025年数据
2026年一季度数据
营业收入
86亿美元(同比+156%)
73亿美元(同比+700%)
归母净利润
10亿美元(首次扭亏)
约48亿美元
综合毛利率
37.8%
超70%
营业利润率
约70%
月产能
约265千片/月
预计年底达350千片/月

根据我们的存储模型测算,2026年全年营收有望超过500亿美元——这意味着公司自2023年以来每年营收翻倍有余,2026年同比增长超6倍。

二、十年磨一剑:长鑫存储是如何崛起的?

2.1 创始人的“大芯片梦”

长鑫存储创始人朱一明,1994年清华大学物理系毕业,后赴纽约州立大学石溪分校攻读电子工程。他在硅谷工作多年,2005年带着一组SRAM专利和10万美元回国创立兆易创新,将其打造为全球顶尖的NOR闪存供应商。

但朱一明从不满足于NOR闪存。2016年,他与合肥市政府共同启动了“506”项目——即后来的长鑫存储

2.2 奇梦达的遗产:技术与人才的双重继承

长鑫存储的底层技术来源于一家已倒闭的德国DRAM巨头——奇梦达(Qimonda)

专利基础:2019年,长鑫存储获得奇梦达大量DRAM专利授权,并获取了约2.8TB的技术文档,成为其DRAM业务的根基

核心架构:奇梦达的掩埋字线+堆叠电容架构,正是如今三星、SK海力士和美光三家巨头共同采用的技术方案

更重要的是,长鑫存储吸纳了奇梦达的工程师团队:

关键人物
背景
在长鑫的贡献
卡尔-海因茨·屈斯特斯
奇梦达德国总部资深工程师,24年DRAM研发经验
技术顾问,被誉为“王牌”,传授工艺整合与良率控制的隐性知识 
平尔宣
美光、闪迪、应用材料任职经历
负责未来技术评估与路线图规划

此外,公司从韩国、台湾大量招揽人才——韩国检方甚至曾指控前三星员工向长鑫存储泄露技术。

2.3 “合肥模式”:国资的耐心

合肥市政府是长鑫存储成功的关键推手。

大额投入:2016年项目启动时,合肥国资承担了一期项目约80%的资金(144亿元)

长期亏损:即便2025年首次盈利,公司仍背负约366.5亿元累计亏损

永不退出:IPO前,合肥国资合计持股超过30%

合肥还围绕长鑫存储构建了本地供应链集群:沛顿、新封两家封测企业紧邻晶圆厂,广钢气体现场供应,至纯科技提供晶圆再生服务。

一句话总结:奇梦达提供技术基础,人才提供研发动力,合肥政府提供资本和耐心——三者缺一不可。

三、惊人的业绩爆发:超级周期中的最大受益者

3.1 营收与利润:指数级增长

年份
营收
归母净利润(合并)
归母净利润(归属母公司)
2023年
12亿美元
亏损
2024年
33亿美元
亏损
2025年
86亿美元
10亿美元
1.87亿美元
2026年一季度
73亿美元
48亿美元
35.8亿美元

3.2 盈利能力:远超市场预期

公司综合毛利率从2023年的-113%跃升至2025年的37.8%,2026年一季度进一步攀升至超70%

分产品线看:

产品线
2023年毛利率
2024年毛利率
2025年毛利率
DDR
-109%
-27%
42%
LPDDR
-121%
-1%
37%

核心结论:利润率提升主要来自DRAM价格暴涨,而非成本端的改善。公司DDR5每比特成本仍比三大巨头高出30%以上。

3.3 价格 vs 出货量:谁在驱动增长?

季度
比特出货量环比
ASP环比
2025年Q3
+63%
2025年Q4
+68%
2026年Q1
+11%
+57%

关键判断:业绩暴增的核心驱动是价格的爆炸式上涨,而非市场份额的显著提升。公司2026年Q1的DRAM ASP仅比三星、SK海力士和美光低5-10%。

四、产能扩张:逼近行业第三

4.1 产能爬坡路径

年份
月产能(千片/月)
全球份额
2025年
265
约11%
2026年(预计)
350
约13%
2027年(预计)
420
约15%
2028年(预计)
500
约17%

4.2 产能布局

厂区
当前状态
远期规划
合肥Fab 1
满产(约100k)
100k
合肥Fab 2
满产(约100k)
100k
北京
稳定爬坡中
上海一期
2027年初步量产
上海二期
预计2028年后
全部达产后总产能可超400k

五、HBM:差距与前景

5.1 当前HBM产能非常有限

截至2025年底,公司约265k月产能中,仅有约5k分配给HBM,占比不足2%。2025年约99%的营收来自DDR和LPDDR产品。

5.2 技术差距明显

维度
长鑫存储现状
行业领先水平
HBM产品代际
HBM2/HBM2E
HBM3E/HBM4
堆叠层数
8-hi为主
12-hi已量产
前端晶圆良率
约35%
85-90%
后端封装良率
约70%
较高
综合良率
约25%
较高

5.3 未来HBM产能规划

年份
HBM月产能(千片/月)
全球份额
2025年
5
1%
2026年(预计)
30
约3%
2027年(预计)
55
约7%
2028年(预计)
100
12%

不过,在现有良率下,HBM产品的利润远低于同期普通DRAM。公司可能跳过HBM3,直接研发HBM3E 8-hi和12-hi。

六、中国HBM供应:整体性紧缺

中国HBM供应面临内外双重压力

6.1 对外:出口管制持续收紧

美国2024年12月管制:限制HBM2E及以上产品对华出口

三大供应商(三星、SK海力士、美光)自身供给紧张,违规销售的意愿降低

6.2 对内:走私渠道受限

部分HBM仍通过第三国中间商、部分组装系统等灰色渠道流入中国

但规模有限,且在持续收紧

6.3 国内需求井喷

阿里、字节、腾讯等国内云厂商资本开支激增,华为、寒武纪等国产AI芯片对HBM需求快速增长。供给受限+需求爆发,中国HBM供应紧张局面可能持续至少18个月。

七、设备生态:出口管制下的国产化

7.1 美国出口管制的层层加码

时间
管制内容
对长鑫的影响
2019年
限制ASML EUV对华出口
无法获取先进光刻平台
2022年10月
管制18nm半节距以下DRAM设备 
限制沉积、刻蚀、量测设备
2023年10月
新增节点无关工具限制、扩大零部件管控
影响设备服务、备件供应
2024年12月
新增24种半导体设备、140个实体清单
影响先进DRAM和HBM全套工艺模块 

7.2 国产化设备进展

工艺环节
国内供应商
进展
刻蚀
中微公司、屹唐半导体
中微已覆盖DRAM 94%的CCP刻蚀应用、98%的ICP刻蚀应用 
沉积
拓荆科技、北方华创
覆盖ALD/CVD/PVD,周星工程(韩国)也参与供应 
光刻
上海微电子
DUV设备仍落后于ASML
离子注入
中国电科、凯世通、北方华创
进展缓慢,与海外差距仍大
铜电镀
盛美上海
部分覆盖ECP工序
CMP
华海清科
已进入长鑫供应商体系
检测/测试
星微电子、精测电子
海外供应商仍占主导

核心判断:光刻机和离子注入设备是当前国产化的最大瓶颈。但在刻蚀、沉积、CMP等领域,国内供应商已取得显著进展。

八、IPO结构与估值分析

8.1 募资规模

项目
数字
计划募资
295亿元(约41亿美元)
发行比例
上市后总股本的10%-15% 
募集资金用途
205亿元用于晶圆产线与DRAM技术升级,90亿元用于前瞻性DRAM研发

8.2 股权结构(IPO后预估)

股东类型
持股比例
国有资本(合肥国资+国家大基金+安徽国资)
约33%
清辉机电(管理层平台)
19.5%
战略投资者(阿里巴巴+兆易创新)
5.1%
其他现有股东
27.4%
公众流通股
15%

重要提示:公司采用VIE式结构控制晶圆厂——对子公司的经济权益仅约30%,但拥有超70%的投票权。这意味着合并净利润中,约74%归属少数股东,母公司股东仅占26%。

九、投资风险与展望

9.1 核心风险

风险维度
具体内容
技术代差
无EUV光刻机,制程节点落后1-2代
HBM差距
良率仅25%,与三巨头差距显著
出口管制
先进设备获取持续受限,影响扩产与良率提升
周期风险
若DRAM价格回落,公司利润率将大幅收窄
股权结构
无实际控制人、国资主导可能影响国际化进程

9.2 正向驱动因素

驱动因素
具体逻辑
超级周期延续
DRAM供需缺口持续至2028年,价格有望再翻倍 
国产替代加速
国内云厂商、品牌厂商加快导入国产DRAM
长协锁定需求
与阿里、字节、腾讯等洽谈3年以上长期协议 
HBM破局
定制化HBM与华为合作,避开JEDEC标准竞争 
设备国产化
国产设备逐步成熟,降低对海外设备依赖

结语

长鑫存储的十年崛起,是技术引进、人才回流与国资耐心三者结合的典范。它从一家根基薄弱的“闯入者”,成长为全球第四大DRAM厂商,其背后是中国半导体产业在国家支持与市场力量双重驱动下的历史性进程。

尽管在HBM等领域仍与三巨头存在显著差距,但超级周期下的价格暴涨已为公司带来巨额利润充足现金流。如果IPO定价合理,长鑫存储有望成为中国半导体板块的市值新王

在DRAM价格有望再翻倍的当下,长鑫存储的IPO,或许是2026年全球半导体投资最值得关注的事件。

本文数据来源:SemiAnalysis 2026年6月23日研报《China‘s CXMT Is Set to Challenge DRAM Incumbents》、长鑫存储招股说明书及公开信息。观点仅供参考,不构成投资建议。

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