伯恩斯坦最新研报:全球存储HBM

过去 AI 行情资金扎堆英伟达 GPU，但决定算力利润天花板的真正变量，早已悄悄切换成HBM 高带宽内存。昨日，华尔街顶级投行伯恩斯坦放出最新重磅存储深度研报，一口气敲定未来两年 HBM 涨价节奏、DRAM 周期顶点、三巨头份额格局与盈利天花板，整条存储产业链逻辑彻底被重新定价。

01｜定价拐点：2027 年 HBM 价格暴涨 2~2.5 倍

研报最炸裂的结论：进入 2027 年，全世代 HBM（HBM3/HBM3E/HBM4）平均单价同比大涨 2~2.5 倍。

当下现状：受年度长协锁价影响，HBM 现货涨价幅度严重滞后于传统 DRAM；同一片晶圆，普通 DRAM 产出营收远高于 HBM，厂商扩产意愿偏弱，供需缺口持续拉大。

涨价必然性：英伟达新一代 Rubin GPU、AI 定制 ASIC 全面拉高 HBM4 搭载量，高端堆叠工艺良率爬坡缓慢，供给端短期很难放量。

价格传导：2026 年二季度后传统 DRAM 涨价斜率放缓，但上涨趋势不改，整个 DRAM 行业将在 2027 年迎来本轮超级周期价格顶峰。

02｜毛利率反转：HBM 追上传统 DRAM

这是本轮存储逻辑最关键的质变：

当前：单晶圆产出下，普通 DRAM 营收显著高于 HBM，两者毛利率差距悬殊；

2027 年预判：传统 DRAM 毛利率冲高至90% 中段区间，HBM 毛利率同步逼近 90%，二者盈利鸿沟大幅收缩。过去厂商宁愿做普通 DDR 内存、不愿投产 HBM 的局面彻底扭转，大厂会主动调配产能倾斜 HBM 赛道。

伯恩斯坦对三家存储龙头 HBM 位元出货份额做出明确预测：

✅ 三星电子：2025 年市占率仅 28%，依托 HBM4 性能优势 + 产能持续加码，2027 年份额跳升至 46%，完成行业反超登顶

✅ SK 海力士：原有领先优势被动收缩，高端 HBM4 竞争承压

✅ 美光：产能与工艺迭代节奏偏慢，份额维持尾部格局

随着价格翻倍 + 份额集中，HBM 对三大厂商营收贡献迎来强势 V 型反弹：

从明年（2027 年）开始拐点向上，全行业 HBM 营收占整体 DRAM 总收入接近40%

到 2028 年占比进一步冲高至45%，正式成为存储板块第一大收入来源，AI 属性彻底定义存储行业估值。

全行业利润同步在2027 年下半年（2HCY27）摸到本轮周期天花板，每股收益刷新历史极值：

三星电子：EPS 冲高突破 20,000 韩元

SK 海力士：EPS 峰值逼近 150,000 韩元

美光科技：非 GAAP 季度 EPS 区间达到47~50 美元