🔥 AI 算力狂飙，光模块正经历史诗级跃迁！ 从 800G/1.6T 到 3.2T，速度翻倍的背后，是磷化铟衬底国产替代与薄膜铌酸锂技术迭代的双重确定性机遇。这两大核心材料，正成为 AI 数据中心 “光速连接” 的基石！ 

      AI算力驱动下，光模块速率正从800G/1.6T向3.2T跃迁，上游核心材料环节迎来“磷化铟（InP）衬底国产替代”与“薄膜铌酸锂（TFLN）技术迭代”的双重确定性机遇。磷化铟作为EML、CW激光器等长波光芯片不可替代的衬底，在出口管制与海外供给受限下，国内企业份额正加速提升。

一、时代风口：为什么这个赛道必须关注？

磷化铟衬底：供给受限，国产替代迎来确定性黄金机遇：

1、技术壁垒拉满：长波光芯片不可替代的核心基底

     磷化铟属于 III-V 族化合物半导体，拥有高电子迁移率、高热导率等优质物理特性，晶格常数完美适配 1.3μm、1.55μm 通信波段光芯片有源层。是 800G/1.6T 光模块EML 电吸收调制激光器、CW 连续波激光器必备衬底，更是 200G EML、CPO 大功率 CW 光源的核心基材，直接决定全球高速光芯片产能天花板。

2、全球格局大变局：出口管制倒逼国产替代加速：

      全球磷化铟衬底长期被日本住友、美国 AXT、日本 JX 日矿三家垄断，合计市场份额超 95%。2025 年国内出台铟及磷化铟物项出口管制，海外企业原料及衬底获取难度陡增，日本相关出口许可拒绝率超 80%，美国审批严格受限。供应链紧张直接推升价格，2025 年以来磷化铟衬底涨幅超200%，海外龙头订单增长但收入环比下滑，行业供应链瓶颈彻底凸显。

3、国内赛道迎拐点：资源 + 技术双突破，全产业链崛起：

      我国坐拥全球领先铟资源与产能，高纯铟完全自给，为磷化铟衬底量产筑牢资源底座；国内企业已实现 4 英寸衬底量产，6 英寸产品进入攻坚阶段。

下面，为你梳理 A 股 5 家核心卡位公司，价值干货速存！  

1. 云南锗业（002428）

      控股子公司鑫耀半导体实现磷化铟衬底量产，2026 年规划扩产至 45 万片 / 年，是光芯片衬底国产替代核心先行者。

2. 中金岭南（000060）

      手握自研自产铟原料资源，布局 86 万片半导体衬底项目，含 12 万片磷化铟产能，2026 年量产具备全产业链成本优势。

3. 源杰科技（688498）

      国内 EML 与 CW 激光芯片龙头企业，深度绑定行业头部大客户，直接受益光模块从 800G 向 3.2T 迭代的需求爆发。

4. 长光华芯（688048）

      配备 20 台 MOCVD 核心设备，产品覆盖 EML、CW、VCSEL 全品类光芯片，产能规模与客户导入进度稳居行业领先。

5. 仕佳光子（688313）

     CW 光源、AWG 芯片研发验证稳步推进，光芯片平台化布局落地，产能持续扩产匹配高速光模块行业高增长需求。

总结：我国坐拥全球领先铟资源与产能，高纯铟完全自给，为磷化铟衬底量产筑牢资源底座；国内企业已实现 4 英寸衬底量产，6 英寸产品进入攻坚阶段。

产能端：云南锗业子公司鑫耀半导体 2025 年产磷化铟晶片 10.01 万片，2027 年将扩产至 45 万片 / 年；中金岭南布局 86 万片半导体衬底项目，含 12 万片磷化铟产能，2026 年量产，坐拥全产业链成本优势。

     下游光芯片企业借势

突围，源杰科技、长光华芯、仕佳光子加速大客户导入。行业机构预测，2025-2030 年磷化铟在光模块渗透率将从 79% 升至 91%，五年需求复合增速高达85%。

#云南锗业

【文末彩蛋】

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