一、AMD韩国行背后的战略考量
据财联社等多家媒体报道，AMD首席执行官苏姿丰将于下周在韩国会见三星电子会长李在镕。这次高层会晤的核心议程直指HBM的稳定供应。知情人士表示，苏姿丰预计还将与韩国互联网门户提供商Naver探讨更广泛的AI算力基础设施合作前景。
这次韩国行揭示了AI算力基建狂潮下的产业新格局：存储芯片已从配角跃升为决定AI芯片产能的关键环节。东方财富证券研报指出，HBM正由配套存储升级为决定算力上限的核心环节，由于技术壁垒和产能爬坡，产业链集中度有望同步提升。
西南证券分析认为，存储行业迎来超级周期，AI大模型技术超预期迭代升级带来海量数据存储需求，而海外三大原厂将有限产能向高利润HBM和DDR5产品倾斜，对消费级存储芯片产能造成严重挤压，供需缺口持续扩大。
二、HBM：AI时代的核心存储底座
HBM通过3D堆叠技术将多个DRAM芯片垂直堆叠，并通过硅通孔互联，实现了远超传统内存的带宽。据行业信息，生产1GB的HBM3E或HBM4所消耗的硅晶圆产能是普通RAM的3到4倍，且良率较低。
这种技术复杂性导致了极度的供应紧张。36氪报道显示，2026年全球三大存储巨头的HBM产能已全部提前售罄，部分头部AI企业甚至提前签订2027年长期供货协议。东方财富证券数据显示，当前HBM良率约50%至60%，生产周期长达两个季度。
价格方面，HBM单颗售价已达普通DRAM的5至10倍。东方财富证券分析显示，2025年至2026年间，SK海力士、美光、三星围绕HBM4密集推进量产与客户导入，单堆栈带宽由HBM3E阶段的约1TB/s提升至约2TB/s，容量扩展至48GB及以上，HBM4单价较HBM3E提升约50%。
三、DDR市场的挤压效应与价格传导
HBM的产能扩张正在抽干传统DRAM的产能。根据行业信息，由于三大存储原厂优先将先进制程产能分配给HBM和高阶服务器DRAM，PC和移动设备的供给受到严重挤压。
这种结构性失衡带来了两大后果：
1. 价格持续上涨方面，据国家发展改革委价格监测中心数据，截至2026年1月，全球存储芯片两大主要产品DRAM和NAND闪存价格均创下2016年有统计数据以来的最高值。以主流型号DDR4 8Gb颗粒为例，部分型号现货价格从2025年低点的3.2美元飙升至15美元，累计涨幅高达369%。
2. 市场出货方面，Wedbush预测由于内存成本攀升，2026年全球PC价格将上涨6%至8%，出货量预计收缩9%。这一传导效应已蔓延至消费电子终端，OPPO近期发布公告，宣布自3月16日起对部分已发售产品进行价格调整，以应对高速存储硬件等关键零部件成本上涨。市场研究机构Counterpoint Research预测，3月份以后中国市场新品手机平均售价将较2025年同档位机型上涨15%至25%。
四、国内存储市场的快速崛起
据中商产业研究院数据，2023年中国存储芯片市场规模约为3943亿元，2024年约为4267亿元，2025年约达4580亿元。该机构分析师预测，2026年中国半导体存储器市场规模有望达4888亿元。
在竞争格局方面，36氪报道显示，国产存储厂商凭借成熟工艺与差异化架构，正正式进入全球主流通路。兆易创新作为全品类存储龙头，其NOR Flash全球市占率达18%，稳居全球第二、国内第一。江波龙以PTM商业模式实现差异化突围，其eMMC和UFS产品全球排名第四，自主研发的主控芯片已批量出货。佰维存储凭借自研主控加封测一体化优势，在嵌入式存储领域占据国内领先地位。
国内存储厂商业绩表现亮眼。据西南证券研报，以长江存储、长鑫存储、兆易创新、江波龙等为代表的本土企业依托自主架构创新与工艺迭代，产能持续扩张、良率稳步提升，在AI算力、消费电子、企业级市场全面突破。
五、HBM国产化进程与设备生态建设
据行业信息，中国存储半导体企业正积极准备于2026年量产HBM，加紧建造HBM制造所需的半导体设备生态体系。长鑫存储计划2026年量产第四代HBM，并已开始研发用于HBM的硅穿孔技术。
在设备环节，东方财富证券研报显示，2025年前三季度中微公司营收达80.63亿元，同比增长30%以上，刻蚀与薄膜设备向10纳米及以下先进制程延伸，支撑HBM相关DRAM制造。华天科技2025年前三季度收入123.80亿元，同比增长17.55%；通富微电同期收入201.16亿元，同比增长17.77%；长电科技2024年营收359.62亿元，同比增长21.24%，并已取得HBM3E封测订单。
先进封装技术方面，36氪报道显示，FOPLP正凭借规模化优势快速崛起，被视为CoWoS的潜在继任者。三星在先进节点中积极应用FOPLP技术，谷歌已在Tensor G4芯片中采用三星的FOPLP方案。中国大陆厂商也在积极布局FOPLP领域，华润微电子、成都奕斯伟、中科四合等已进入该领域，部分具备量产能力。
六、产业展望与风险提示
西南证券分析认为，存储行业本轮超级周期的根本原因在于AI大模型技术超预期迭代升级，带来海量数据存储需求。在需求爆发与供给刚性的背景下，据CFM闪存市场预计，2026年存储价格整体仍将延续上涨。
集邦咨询已全面上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格季成长幅度。IDC预计，2026年存储供应挑战将持续，并可能延续至2027年，同时今年下半年存储价格上涨速度或将放缓，但价格仍将继续上升并保持在高位。
需要注意的是，存储行业仍面临多重风险因素。AI发展不及预期可能影响存储需求，若大模型技术进展放缓，不排除AI资本开支下修的风险。存储价格存在下行风险，流通渠道若投机炒作过度可能影响下游需求。此外，技术迭代与良率爬坡、国际贸易环境变化等因素也存在不确定性。
产业观察
苏姿丰与李在镕的会面，本质上是AI芯片设计商对上游供应链的一次产能锁定。在HBM决定AI芯片出货量的时代，谁锁定了HBM产能，谁就掌握了AI算力市场的入场券。与此同时，国内存储产业链在国产替代窗口期正加速补位，从设备到封测环节全面布局，依托自主架构创新与工艺迭代，有望在全球存储格局重塑中占据一席之地。存储芯片产业的竞争核心，正从规模驱动的周期博弈转向技术驱动的价值竞争。
参考文献
1. 西南证券，胡杨、王谋、王书龙. 存储行业专题报告：需求爆发&供给刚性，存储超级成长周期[R]. 2026年3月11日. http://vip.stock.finance.sina.com.cn/q/go.php/vReport_Show/kind/lastest/rptid/826542687670/index.phtml
2. 东方财富证券，向心韵. 电子行业专题研究：算力瓶颈加速突破 HBM确立算力时代核心中枢地位[R]. 2026年3月4日. http://stockfinance.sina.cn/stock/go.php/paper/reportid/825990485131/index.phtml
3. 共研产业研究院. 2026年中国半导体存储器市场分析：市场规模将达7165.3亿元，国产替代的空间将越来越大[R/OL]. 2025年12月31日. https://gonyn.com/industry/1909863.html
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5. 财联社. 存储产能争夺战再升温 AMD欲联手三星电子锁定HBM供给[N/OL]. 2026年3月11日. https://www.163.com/dy/article/KNP1FKPM05198CJN.html
6. 证券日报，袁传玺. 存储芯片价格上涨 手机厂商被迫调价[N/OL]. 2026年3月11日. https://www.sohu.com/a/994833115_121857546
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8. 集邦咨询（TrendForce）. DRAM与NAND Flash市场价格走势分析[R]. 2026年
9. Counterpoint Research. 中国智能手机市场平均售价预测报告[R]. 2026年3月
10. CFM闪存市场. 2026年存储市场价格展望[R]. 2026年
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