在AI算力需求爆发的背景下，全球半导体设备市场规模持续扩大，特别是先进逻辑和存储领域。先进逻辑端，FinFET向GAA/CFET演进，5nm及以下制程单位产能设备投资额显著提升；存储端，HBM带动DRAM高阶制程升级，3D NAND向400层以上堆叠演进，单万片产能投资额同步提升。中国大陆作为全球重要市场，晶圆产能全球占比仍低于销售占比，逻辑与存储龙头资本开支维持高位，叠加两大存储厂商上市融资在即，扩产动能具备持续性，支撑前道设备景气度中长期上行。
先进制程结构复杂化带动图形化环节投资强度提升，对高深宽比刻蚀（HAR）、高选择比刻蚀（ALE）以及ALD等原子级沉积技术提出更高要求。刻蚀与薄膜沉积在前道设备中的价值占比位居前三，且随制程演进呈提升趋势。多重曝光、先进金属材料替代及新型结构引入，使设备数量与工艺复杂度同步提升，设备投资呈现“技术节点越先进、单位投资越高”的乘数效应，核心平台型设备商与细分龙头有望持续受益。
美国、荷兰、日本持续强化对14nm及以下先进制程设备出口限制，通过系统化、制度化的出口管制政策，对中国半导体先进制造能力形成实质性约束。这些措施不仅直接限制相关设备对华出口，还通过长臂管辖影响非美厂商对中国先进产线的供货，显著抬高中国晶圆厂在先进制程扩产、工艺迭代和良率爬坡上的难度。
在政策支持与大基金三期落地背景下，国内晶圆厂扩产将更加倾向国产设备采购。测算显示，半导体设备整体国产化率已由2017年的13%提升至2024年的20%，预计2025年达22%，仍具备广阔提升空间。平台型厂商覆盖面扩大、技术持续突破，将在先进制程与先进封装领域获得更大份额。同时，多个工艺环节仍待国产替代，光刻、薄膜沉积、量检测、涂胶显影、离子注入等设备的国产化率均低于25%，国产替代潜力显著。
2026年度半导体设备行业策略：看好存储&先进逻辑扩产，设备商国产化迎新机遇
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