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【HBM消耗3倍晶圆且2026年产能已售罄，DRAM库存仅剩4周】
当前市场核心逻辑已从单纯的AI需求爆发切换至供给侧严重的“产能挤兑效应”，驱动存储、MLCC及电子材料开启涨价超级周期。这种“高端挤占低端”的机制导致通用产能被动收缩：HBM消耗晶圆量是普通DRAM的3倍且生产效率下降2/3，导致2025年原厂2成产能转移；AI电子布迫使1000台织机转产，造成通用7628布3亿米缺口。由此引发的“电子通胀”正在加速，目前DRAM库存仅剩4周，海力士2026年HBM已全部售罄；电子布价格已涨近40%至4.7元，调价频率加密至每月一次，且村田高端MLCC需求达产能2倍。鉴于织机交期2年以上、晶圆厂建设需2-3年等硬约束，铜箔等环节缺口达24%，供需错配在2026年全年难以弥合，确立了长期的卖方市场格局。
关注：兆易创新/江波龙/澜起科技（存储产业链，产能转向HBM致缺货涨价及DDR5放量），中国巨石/中材科技/宏和科技/铜冠铜箔（电子材料，AI挤占产能致通用产品缺货涨价），国瓷材料/三环集团（MLCC，村田产能溢出引发量价齐升及国产替代），海光信息（国产算力，外部制裁催化需求回流及份额扩张）
主要逻辑
当前市场的核心预期差已从单纯的“AI需求爆发”切换至供给侧的“产能挤兑效应”。市场普遍认知AI芯片缺货，但忽视了AI对通用产能的毁灭性挤占：HBM消耗3倍于DDR的晶圆，AI电子布挤占通用7628布的织机。这种“高端挤占低端”的机制，导致原本需求平淡的通用电子品类（DDR4、7628布、标箔）出现被动去产，进而引发“电子通胀强周期”。当前存储库存仅4周，电子布价格已涨40%，涨价正从点（HBM/AI布）向面（通用存储/普通布/MLCC）扩散。定价层面，市场尚未充分定价通用周期品的涨价弹性，安全边际在于供给端扩产周期（织机2年、晶圆厂2-3年）带来的硬约束，2026年全年供需缺口难以弥合。
1. 产能置换效应：HBM消耗3倍晶圆，1000台织布机转产导致通用布缺口
AI对产能的挤占并非线性增长，而是倍数级消耗。数据主要体现在：1）存储端，HBM消耗的晶圆产能是普通DRAM的3倍以上，且生产效率下降2/3，导致2025年三大原厂2成产能转向HBM，直接造成DDR4等通用产品供给收缩；2）材料端，AI电子布迫使厂商将1000台织布机（占行业5-6%）转产，导致通用7628布产能出现3亿米缺口。这种物理产能的刚性置换，使得即便消费电子需求仅微增，供给端的剧烈收缩也足以引爆涨价。
2. 电子通胀确立：库存降至4周，电子布涨幅40%且频率加快
市场往往低估了“涨价”的扩散速度和幅度。目前电子布7628价格已从年初3.4元涨至4.7元（涨幅近40%），且调价频率从两月一次变为每月一次，预期将冲击历史高点8-9元。存储方面，海力士明确表示2026年HBM全部售罄，DRAM库存仅剩4周（正常6-8周）。被动元件方面，村田高端MLCC需求达产能2倍，开启涨价评估。这表明涨价已从单一环节向全产业链（PCB、铜箔、封测）蔓延，形成了成本推动型的“电子通胀”。
3. 供给刚性约束：织机交期2年+晶圆厂建设3年，锁定中期高景气
本轮周期的持续性由供给侧扩产瓶颈决定。1）设备瓶颈：电子布织机被丰田垄断，订单交期延长至2年以上；2）基建瓶颈：晶圆厂及洁净室建设周期需2-3年；3）技术瓶颈：HVL P4铜箔、高端MLCC粉体存在良率和认证壁垒。这意味着2026-2027年新增供给极其有限，供需缺口（如铜箔缺口24%）在未来12-18个月内无法通过资本开支解决，卖方市场格局将长期维持。
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