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本期文章： 『研报』大尺寸光伏单晶硅制备技术研究进展
『研报』晶体硅异质结光伏组件湿热衰减模型及寿命预测
『研报』近海薄膜式光伏浮岛在波浪作用下的受力特性研究
『研报』电-碳-绿证市场交易环境下多能联盟低碳优化运营机制研究
以下正文：
一、 研究背景与行业趋势
技术主导：直拉法是目前最成熟、应用最广泛的光伏级单晶硅制备技术。
产能集中：中国企业的硅片产能已占据全球绝对主导地位（2022年底约占97.9%）。
大尺寸化趋势：硅片正朝着更大尺寸方向发展，以G12（边距210mm）为代表的大尺寸硅片能显著降低电池、组件及电站系统成本，是产业明确的发展方向。
二、 三种主流制备技术对比分析
论文重点总结并对比了三种面向大尺寸生产的主流直拉法技术：多次装料拉晶技术、连续装料拉晶技术和炉外加料技术。
技术名称 | 核心技术特点 | 主要优势 | 主要挑战/难点 | 发展现状与前景 |
|---|---|---|---|---|
多次装料拉晶技术 | 基于传统直拉法，一炉多次投料、多次拉晶。 | 工艺最成熟，市场占比最高；单炉投料量大，生产成本低，能源利用率高；结合神经网络等正向智能化发展。 | 1. 晶体质量：大尺寸下氧、碳杂质及金属杂质控制难，晶棒头尾质量不均。 | 目前仍是主流生产技术，但面对大尺寸、高品质需求，其技术瓶颈日益突出。 |
连续装料拉晶技术 | 采用双坩埚（隔板）结构，实现加料、熔化与晶体生长同时连续进行。 | 1. 晶体质量高：熔体液面稳定，杂质分布更均匀；内坩埚小，降低氧含量。 | 1. 技术壁垒高：设备复杂，对石英坩埚（需耐500小时高温）等材料要求苛刻。 | 被视为未来发展方向，潜力巨大。目前处于研发和初步产业化阶段（如协鑫），其发展受颗粒硅原料技术进步的密切影响。 |
炉外加料技术 | 在RCZ基础上，增加外部加料装置，实现一机对多炉加料。 | 提高了RCZ的加料效率，降低了部分生产成本。 | 提升潜力有限，未解决RCZ固有的熔体深度变化导致的传热与质量不稳定问题；设备昂贵。 | 研究应用较少，发展前景有限。 |
三、 核心结论与未来展望
技术迭代期：当前正处于RCZ、CCZ、OCZ等多种技术并存与更迭的时期。
发展主线：技术演进始终围绕提升晶体质量、降低生产成本和提高生产效率三大核心目标。
未来研究方向：
短期：聚焦于突破CCZ技术相关的瓶颈，如高品质石英坩埚、配套热场材料及颗粒硅原料适配性等。
长期：探索将量子物理等新理论与人工智能技术结合，开发新的晶体生长理论并实现产业智能化升级。
总而言之，论文指出，在光伏硅片持续大尺寸化的背景下，RCZ作为当前主力技术面临挑战，而CCZ因其在质量和效率上的潜在优势，成为未来技术发展的关键方向，但其大规模产业化仍依赖于关联材料与工艺技术的突破。
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