研报分享:光芯片(附原文下载)

光芯片作为光通信与光计算的核心器件，近年来在材料、工艺与应用端快速突破。

材料层面，硅基光电子（SiPh）凭借与CMOS工艺兼容的优势，成为主流方向，同时磷化铟（InP）、铌酸锂（LiNbO₃）等材料创新显著——薄膜铌酸锂调制器带宽突破110GHz，性能逼近理论极限。

工艺上，异质集成技术突破单材料限制，通过硅光与III-V族材料键合，实现光源、调制器、探测器单片集成，大幅降低封装成本。

应用端，数据中心驱动光模块向800G/1.6T升级，光芯片速率与功耗指标持续优化；AI算力需求催生光计算芯片研发热潮，基于马赫-曾德尔干涉仪的光矩阵运算单元已验证百TOPS级算力，能耗仅为电芯片1/10。

国内方面，华为、中际旭创等企业加速布局高速光模块，中科院等机构在薄膜铌酸锂、硅光集成领域取得关键技术突破，逐步缩小与国际领先水平差距。光芯片正从通信向计算、传感等多场景延伸，开启“光进铜退”新周期。