自2025年第三季度以来，DRAM市场正处于人工智能驱动的上升周期中，超大规模数据中心不断消耗供应并推高价格。由于AI服务器每台系统所需的DDR5（和HBM）远高于传统服务器，PC、智能手机及其他终端市场的可用性正在趋于紧缩。
在此背景下，Yole Group内存与计算业务总监John Lorenz强调了DRAM当今价格动态的一个关键驱动因素：对未来稀缺性的恐惧——随着DRAM制造商优先考虑利润更高的HBM和服务器级DDR5，其他细分市场则采取防御性反应，常常提前买入，加剧短缺并推高现货价格。
数据显示，DRAM价格上涨态势始于2025年第三季度，该季度价格环比涨幅达13.5%。尽管DRAM市场历来波动较大，历史价格波动幅度通常在15%-20%之间，但此次上涨是在2023年至2024年底及2025年初持续反弹的基础上实现的。此前市场曾预判行业已达周期性峰值并将进入下行通道，但企业财报早期信号显示，2025年第四季度DRAM价格或再迎30%的涨幅。
人工智能基础设施正在重塑DRAM需求曲线
数据中心运营商在采购人工智能加速器的同时，同步扩充配套通用服务器，而两者分别对高带宽内存（HBM）和标准DDR5存在海量需求，直接推高了整体内存消耗。
HBM产品进一步扭曲了DRAM市场格局。由于HBM价格及利润率远高于DDR5，制造商具备强烈的产能倾斜动力。
从生产端看，每GB HBM所需晶圆数量是DDR5的四倍，产能向HBM倾斜直接导致传统服务器内存可用容量缩减。
这种供需变化已传导至多个终端市场。汽车领域常用的LPDDR4、LPDDR5内存与智能手机、平板电脑等消费电子产品通用，鉴于自动驾驶汽车发展带来的内存需求增长，存储器供应商将汽车行业视为战略重点，暂不会缩减供应，但已通过提高定价向汽车客户转移成本压力。
行业战略布局也随之调整，美光关闭Crucial消费业务的举措，正是其聚焦高利润率AI驱动需求、弱化直销消费级产品的明确信号。
超大规模需求越来越多地决定了DRAM定价
从全球DRAM比特需求分布来看，数据中心占据主导地位，占比约50%，其中仅AI工作负载就贡献了总量（含HBM与非HBM）的30%，对定价形成绝对影响力。
消费电子领域中，智能手机占比约25%，个人电脑占比10%-11%，游戏设备、可穿戴设备等其他消费电子产品占比6%；汽车领域占比5%，工业、医疗、军事用途合计占比约4%。
历史数据显示，DRAM市场周期波动显著。2014年至2016年，因需求停滞导致价格下跌，中国安卓智能手机制造商通过提升设备内存容量参与竞争，吸收过剩供应后推高价格，直至成本压缩利润，供应商才放缓内存扩容或转向低规格机型。
但本次周期中，传统的自我修正机制——高价引发需求回调——尚未显现。超大规模厂商及服务器制造商对价格的敏感度远低于消费级设备厂商，为维持AI领域竞争力，他们愿意支付溢价锁定DRAM供应，进而支撑整体市场价格高位运行。
在供应端，缓解因交期长而结构性受限。建造或扩建DRAM晶圆厂通常需要2-3到3年才能实现批量生产。预计2026年会有一些增量供应，但大部分供应有限。
对此，产能扩张方面，中国CXMT（长鑫存储）正在扩产，但主要服务国内客户，尚未满足全球领先买家的需求。三星正在其P4设施增加设备，但优先考虑HBM而非更广泛的DRAM供应。SK海力士的M15X晶圆厂预计将在2026年下半年开始产出，2027年产量会更为显著，而美光新建的博伊西晶圆厂预计也将在2027年增加供应。
在此之前，智能手机和个人电脑制造商放缓内存内容增长或AI基础设施支出的放缓，才能缓解大规模容量扩建前的价格压力。
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