免责声明:本文原引中信建投证券2026年1月15日发布的研报:《AIDC电源革命正式开启》内容进行汇总与总结，同时文中引用图片和部分文字，如有版权问题请联系博主删除。文中内容为学术交流不构成投某资建议。
在AI算力爆发式增长的当下，单颗AI芯片功率突破1000W、单机柜功率向MW级迈进，传统供电方案已难以为继。AIDC（AI Data Center）电源正迎来以“大功率化、直流化、高压化”为核心的技术革命，带动电源主机、储能、功率半导体、核心部件四大环节全面升级，催生千亿级市场空间。本文基于中信建投最新行业深度报告，为你拆解行业趋势、产业链机会与投资方向。
一、行业变革的核心驱动力：功率飙升+并网刚需
1. AI芯片功率持续突破，倒逼供电升级
以英伟达为代表的芯片厂商持续推高AI芯片功率：从2014年Maxwell架构的250W，到2022年H100的700W，再到2024年Blackwell架构B200的1000W+，2026年Rubin架构R300将通过四芯片设计达到3600W。多芯片机柜方案进一步放大功率需求，英伟达Kyber机柜将集成576颗GPU，单机柜功率达600kW；谷歌TPU v7超级机柜更是突破10MW。据测算，2025-2028年北美AI数据中心电力容量需求将从19GW飙升至71GW，三年复合增长率达55.7%，供电能力成为算力落地的核心瓶颈。
2. 北美并网新规落地，储能成必备配套
随着AI数据中心单体功率激增，电网波动风险加剧。美国FERC（联邦能源监管委员会）等机构推出并网新规，要求大型负荷需具备需求侧响应能力，否则可能面临限电或并网延迟。储能系统既能平滑GPU负荷波动（波动周期短至100ms），又能提供构网支撑，成为数据中心并网的“通行证”。特斯拉Megapack试验显示，储能可降低70%以上的电网负荷波动，显著提升并网效率。
二、技术迭代路线：从交流到直流，从高压到SST终极方案
AIDC电源的技术演进路径已明确，核心围绕“简化结构、提升效率、降低损耗”展开：
1. 两大高压直流技术路线并行
• 英伟达800V路线：迭代路径清晰，从当前415V交流供电，逐步过渡到800V直流过渡方案、进阶方案，最终实现SST（固态变压器）直供。800V方案可减少铜材使用（1MW功率需求下铜母线用量从200kg大幅降低），提升供电效率，且能复用电动汽车产业链成熟零部件。• OCP±400V路线：由Meta、微软主导，通过Mt. Diablo 400标准确立，将机架拆分为电源机柜和服务器机柜，降低绝缘与DC/DC设计难度。Meta HPR系列方案持续升级，2027年HPR V4将支持800kW机柜，适配MW级算力需求。
2. SST：终极供电方案，技术突破在即
固态变压器（SST）是行业公认的终极方案，可直接将13.8kV/35kV中压交流转换为800V/±400V直流，省去多级转换环节，效率提升至98%以上。其核心难点在于电力电子变换器和高频隔离变压器，目前台达已发布1.2MW样机，西安西电交付2.4MW试点产品，2026年起将逐步进入规模化验证阶段。
3. 关键技术支撑：第三代半导体
SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）凭借高耐压、低损耗、高频特性，成为AIDC电源升级的核心材料。SiC适用于高压大电流场景（如SST、PFC整流），开关能耗仅为硅基IGBT的1/20；GaN则主导中高压高频场景（如DC/DC转换），可实现极致功率密度。两者在电源主机、零部件、储能等环节广泛应用，是技术迭代的核心基石。
三、产业链全景：四大核心环节，增量机会凸显
AIDC电源革命带动全产业链升级，从核心设备到细分零部件均涌现新增量，具体可分为四大环节：
1. 电源主机：价值量集中，技术壁垒高
• PSU（电源供应单元）：AC/DC转换核心部件，从传统5.5kW向30kW级迭代，2030年市场规模将达869亿元。头部厂商包括台达、光宝、麦格米特、欧陆通等，大陆企业凭借技术快速跟进切入海外供应链。• HVDC（高压直流电源）：呈现边柜（sidecar）集成化趋势，内置CBU/BBU，单台功率可达800kW，2030年市场规模预计1257亿元。阳光电源、金盘科技、麦格米特等已推出样机并送样验证。• SST（固态变压器）：终极方案，2027年后逐步放量，2030年市场规模将突破1000亿元，金盘科技、台达等走在技术前列。
2. 电站级储能：并网刚需，增量空间巨大
储能成为AI数据中心标配，预计2028年新增需求达85-340GWh。除传统储能厂商外，具备海外渠道优势的企业更具竞争力，核心标的包括阳光电源、CSIQ（美股）、FLNC（美股）等。
3. 核心增量零部件：从无到有，弹性十足
• 固态断路器：解决直流电无过零点开断难题，响应时间达微秒级，英伟达800V方案明确标配，2030年市场规模229亿元，良信股份、泰永长征、赛晶科技为核心玩家。• CBU/BBU：CBU（电容备份单元）平抑高频波动，BBU（电池备份单元）提供瞬时备电，两者可互换，2030年超级电容（CBU）市场规模458亿元，蔚蓝锂芯、台达、松下领先。• 其他增量：DC/DC转换器、电子熔断器、高频隔离变压器等，随高压直流化趋势快速放量，中熔电气、思源电气等受益。
4. 第三代半导体：贯穿全产业链的核心材料
SiC功率器件2030年市场规模将达836亿元，GaN在DC/DC环节广泛应用。国内企业在衬底、器件制造环节快速突破，产业链上下游均具备投资价值。
四、TZ机会：聚焦海外链+高价值环节，优选核心标的
• 优先布局海外链：北美市场引领技术趋势，头部云厂商资本开支集中，海外收入占比高的企业业绩兑现更快；
• 聚焦高价值环节：电源主机（PSU/HVDC/SST）和储能是价值量最大的两大环节，增量零部件弹性突出；
• 关注技术与渠道优势：优先选择产品契合趋势、已切入海外供应链或接近量产的企业。
