大家好～最近刷到一份摩根士丹利的重磅研报，核心观点只有一句话：AI正在掀起一场存储超级周期！如果说 2023-2024 是GPU的狂飙时代，那么2025-2026，就是存储的黄金窗口期。
🌟为什么说是“超级周期”？
摩根士丹利认为，2025年4月就是底部，AI带来的需求将推动存储行业在2026年出现供需缺口，并且持续到2027年。这次和以往不同，不是短暂反弹，而是结构性大机会。
五个“惊喜”信号：
eSSD需求爆发：美国云厂商已经锁定2026年的高密度QLC eSSD订单，规模等于今年整个eSSD市场！
AI新终端拉动：RTX6000（GDDR7）、Rubin GPU（LPDDR5x）、SOCAMM 等新产品带来存储新需求。
DDR5服务器起飞：从今年Q4开始价格上行，推升DRAM景气。 库存见底：客户手里的货不多，价格容易被拉动。
DRAM资本开支回暖：2026年起DRAM投资大增，HBM4量产在即。
🌟行业逻辑
NAND 优于 DRAM：NAND过去几年缺乏投资，现在产能紧张+AI需求爆炸，价格弹性最大。
HBM 依旧香：虽然有人担心毛利，但AI大模型离不开高带宽内存，SK hynix、三星依旧是大赢家。
设备链同步受益：ASML（光刻）、KLA（良率控制）、Advantest/Disco（测试、切割），都是周期受益者。
🌟谁是核心受益者？
美国：SanDisk（NAND弹性最大）、美光（AI DRAM受益）
韩国：三星（Top Pick，HBM4潜力大）、SK hynix（Solidigm NAND加持）、Fadu（eSSD控制器龙头）。
日本：铠侠KIOXIA（BiCS-8 技术领先）。
大中华区：兆易创新、华邦电、旺宏（NOR/DRAM）、朗科 & 群联（模组厂，NAND周期受益）。
🌟未来趋势展望
NAND：2026年供给缺口预计2%，乐观情景下可达8%。
DRAM：DDR5、HBM4驱动，2026年WFE投资同比+10%，到327亿美元。
HBM市场：从2023年的30亿美元 → 2027年的530亿美元，复合增速高达97%！
2025-2026，存储的“超级周期”已经在路上。对投资者来说，这是值得关注的黄金窗口期！#存储芯片 #存储 #dram #hbm
